三甲基镓流量对GaN外延层和GaN缓冲层生长的影响(英文)

陈振; 袁海荣; 陆大成; 王晓晖; 刘祥林; 韩培德; 汪度; 王占国

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采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量 ,光致发光法测试其光学特性。实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量。对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明 :不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式。根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型。

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来源
《发光学报》 |2001年第s1期|17-20|共4页
作者
陈振; 袁海荣; 陆大成; 王晓晖; 刘祥林; 韩培德; 汪度; 王占国;
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作者单位

中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室;

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正文语种 chi
中图分类发光学;
关键词
GaN; 三甲基镓流量; 缓冲层; MOVPE;

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