机译:AlN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
NOVITAS-Nanoelectronics Centre of Excellence, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798|c|;
机译:AIN / GaN应力缓解层的应变状态及其对100mm Si(111)上氨分子束外延生长的GaN缓冲层的影响
机译:氨分子束外延在100mm Si(111)上的AlGaN / AlN应力缓解层上生长的GaN中的拉伸应变起源
机译:通过氨分子束外延在100-mm Si(111)上的AlGaN / AlN应力缓解层上生长的GaN的结构特性
机译:GaN缓冲层厚度对等离子辅助分子束外延技术在Si(111)衬底上生长的AlGaN / GaN基高电子迁移率晶体管结构的结构和光学性能的影响
机译:InAsBi体层和量子阱中分子束外延生长的结构和光学性质
机译:使用双AlN缓冲层在m面蓝宝石上生长的半极性(11-22)GaN的各向异性结构和光学性质
机译:使用氨分子束外延在4H-siC(0001)和si(111)衬底上以低生长速率生长的高质量alN(0001)层的原位NC-aFm测量
机译:通过分子束外延生长的应变松弛InGaas缓冲层,用于1.3(μm)法布里 - 珀罗光调制器