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一种新型蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层

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一种蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层，其中，该方法包括：对蓝宝石衬底进行高温成核处理，在蓝宝石衬底上形成GaN成核中心；在所述含有GaN成核中心的蓝宝石衬底上生长缓冲层；对所述缓冲层进行升温退火，形成具有成核岛的缓冲层；在所述具有成核岛的缓冲层上生长GaN外延层，得到蓝宝石上的GaN外延层。本发明通过利用在高温表面处理过程中通入高温成核源，使得在样品表面形成高温成核点，然后再生长低温缓冲层能够获得高质量的GaN外延层，其位错密度可远低于常规的两步法生长，并且使用该方法生长可以降低反应室残留对生长的影响。

著录项

公开/公告号CN111081834A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-28

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201911402230.X
发明设计人刘双韬;赵德刚;朱建军;杨静;江德生;刘宗顺;
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申请日2019-12-30
分类号H01L33/12(20100101);H01L33/32(20100101);H01L33/00(20100101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人吴梦圆
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-17 09:38:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/12 申请日:20191230

实质审查的生效
2020-04-28

公开

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1. 一种新型蓝宝石上生长GaN外延层方法及GaN外延层 [P] . 中国专利： CN111081834B . 2021.04.23
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