...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
【24h】

Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений

机译：通过从有机金属化合物气相外延种植和镁合金的InAs层

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Получены эпитаксиальные слои InAs, легированные Mg методом газофазной эпитаксии из металл-органических соединений, и изучены их электрические свойства. Легирование магнием InAs во время роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений позволяет получить сильно компенсированный р-1пАз с предельной концентрацией дырок p ≈ 2·10~(18) см~(-3) и с низкой подвижностью носителей (μ ≈ 50см~2/В· с при Т - 300 К). При слабом уровне легирования М§ кристаллизуются слои 1пАз "-типа проводимости с высокой подвижностью по сравнению с нелегированными слоями л-1пАв за счет связывания нейтральных примесей магнием.
机译：研究了由金属 - 有机化合物的气相外延合金的外延层，以及它们的电性能。通过来自金属化合物的气相外延生长期间的INAS镁掺杂使得可以获得强补偿的P-1 PAZ，其限位孔浓度P≈2·10〜（18）cm〜（-3）和低载流子迁移率（μ≈50cm〜2 / in·s，t - 300k）。由于镁的结合，具有较弱的掺杂Mg，1paz“ - 与高迁移率的直接电导率，导致镁的中性杂质的结合而与L-1Pav的未结晶层相比。

著录项

  • 来源
  • 作者

    Т. Н. Воронина; Т. С. Лагунова; С. С. Кижаев; С. С. Молчанов; Б. В. Пушный; Ю. Л. Яковлев; T. I. Voronina; T. S. Lagunova; S. S. Kizhayev; S. S. Molchanov; B. V. Pushnyi; Yu. P. Yakovlev;

  • 作者单位

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号