含有低温AlN插入层的厚膜GaN的氢化物气相外延生长

著录项

• 来源
  《半导体学报》 |2007年第z1期|238-240|共3页
• 作者

  于广辉; 雷本亮; 孟胜; 王新中; 林朝通; 齐鸣;

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• 作者单位

  中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

  信息功能材料国家重点实验室;

  上海;

  200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

  信息功能材料国家重点实验室;

  上海;

  200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

  信息功能材料国家重点实验室;

  上海;

  200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

  信息功能材料国家重点实验室;

  上海;

  200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

  信息功能材料国家重点实验室;

  上海;

  200050 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

  信息功能材料国家重点实验室;

  上海;

  200050;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 化合物半导体;
• 关键词

  氮化镓; 氢化物气相外延; 低温氮化铝插入层;