...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков SiGe и их формы
【24h】

Взаимосвязь минимумов поверхностной энергии самоиндуцированных наноостровков SiGe и их формы

机译:表面能量最小值自感应nanoislands SiGe和形式的关系

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Проведен численный расчет влияния компонентного состава, размеров и температурного коэффициента расширения самоиндуцированных наноостровков Ge и SiGe, сформированных на кремнии, на величину их полной энергии. Рассмотрена взаимосвязь дискретных минимумов поверхностной энергии наноостровков и их формы. Учтено влияние интердиффузионных процессов, существенных при высоких температурах эпитаксии. Результаты расчетов сопоставлены с экспериментальными данными, полученными с помощью атомной силовой микроскопии.
机译:在硅上形成的自体电感Ge和SiGe纳米氢化系数的膨胀的影响的数值计算,在硅的膨胀膨胀的膨胀率上是它们的总能量的大小。 考虑了纳米途径的离散最小值与其形式的关系。 考虑了在外延高温下必需的间隔过程的影响。 将计算结果与使用原子力显微镜获得的实验数据进行比较。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    Институт физики полу роводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Институт физики полу роводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Институт физики полу роводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Институт физики полу роводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Институт физики полу роводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

    Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

    Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

    Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

    Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics National Academy of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号