...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области
【24h】

Оптические исследования двумерного фотонного кристалла с квантовыми точками InAs/InGaAs в качестве активной области

机译：二维光子晶体的光学研究，量子点的InAs /砷化铟镓作为有源区

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Двумерный полупроводниковый фотонный кристалл с гексагональной решеткой субмикрометровых отверстий изготовлен путем травления планарной структуры GaAs/AlGaAs, содержащей квантовые точки InAs/InGaAs в волноводном слое. Путем анализа спектров отражения при различных углах падения и поляризации света определена структура фотонных зон. Фано-резонансы, обнаруженные в спектрах отражения при ТМ (ТЕ) поляризации вдоль направления симметрии Γ-K (Γ-M), связаны с резонансным взаимодействием оптически активных фотонных зон с падающим светом. Зонная структура радиационных мод утечки исследована путем измерения угловой зависимости интенсивности фотолюминесценции. Обнаруженное трехкратное увеличение интенсивности фотолюминесценции на резонансной частоте фотонного кристалла объяснено эффектом Пурселя.
机译：通过蚀刻波导层中的含有InAs / InGaAs量子点的GaAs / Algaas的平面结构，制备具有亚脉冲孔的六边形栅格的二维半导体光子晶体。通过分析光的不同角度和光的偏振角度，定义了光子区的结构。在TM（那些）沿对称方向γ-k（γ-M）的偏振中的反射光谱中发现的Fano-andonances与具有落光的光学活性光子区的谐振相互作用相关。通过测量光致发光强度的角度依赖性来研究辐射泄漏模式的区域结构。通过普鲁克的效果，解释了对光子晶体的共振频率的光致发光强度的检测到的三倍增加。

著录项

  • 来源
  • 作者

    С.А.Блохин; О.А.Усов; А.В.Нащекин; Е.М.Аракчеева; Е.М.Танклевская; С.Г.Конников; А.Е.Жуков; М.В.Максимов; Н.Н.Леденцов; В.М.Устинов; S.A. Blokhin; O.A. Usov; A.V. Nashchekin; E.M. Arakcheeva; EM. Tanklevskaya; S.G. Konnikov; A.E. Zhukov; M.V. Maximov; N.N. Ledentsov; V.M. Ustinov;

  • 作者单位

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号