砷化镓超高速电路用SI-GaAs材料——Ⅰ.砷化镓超高速电路发展概况;Ⅱ,砷化镓晶体管的基本特性

鄢俊明

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SI—GaAs(半绝缘砷化镓)材料是研制GaAs VHSIC((超高速集成电路)和MMIC(单片微波集成电路)的重要的衬底材料,SI—GaAs晶片的质量对GaAs集成电路的性能和成品率有很重要的影响。离子注入掺杂(在SI—GaAs中形成有源层、欧姆接触层、电阻层等),是制造GaAs集成电路的关键工艺。由于GaAs(具有一定极性的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体)

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来源
《微电子学》 |1991年第4期|85-90|共6页
作者
鄢俊明;
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作者单位

电子科大;

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正文语种 chi
中图分类半导体混合集成电路;
关键词
超高速电路; 集成电路; SI-GaAs材料;

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