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李昆仑; 郭裕顺; 赵国南;
杭州电子工业学院微电子CAE研究所;
集成电路; 布线; 门阵; 宏元胞; 砷化镓电路;
机译:热处理对电气特性的影响及基于Chroma的砷化镓基于砷化镓电荷收集的有效性
机译:在设计为800nm波长的多孔硅分布式布拉格反射器上增强了大砷化镓薄膜的砷化镓薄膜。
机译:砷化镓和砷化镓衬底上用于X射线探测器的砷化镓p-i-p结构
机译:砷化镓或砷化镓注入的砷化镓中的皮秒寿命和高电阻率:快速光电应用的替代材料
机译:在砷化镓/砷化铝镓DBR上设计,生长和优化基于2微米铟镓铟/锑化铝镓量子阱的VECSEL。
机译:基于砷化镓材料的太赫兹单片集成倍频器的设计
机译:分子束外延生长的砷化镓/铝砷化镓和砷化镓铝铟/砷化铝铝的多量子阱和超晶格结构的光学性质。
机译:基于砷化镓的三元化合物和多带隙太阳能电池研究。年度分包合同报告,1988年4月15日至1996年6月14日。
机译:砷化镓形成的生产方式及砷砷化铝砷化镓元素的生产方式无效
机译:用于生产砷化镓衬底晶片的掺杂砷化镓单晶的制备包括熔化砷化镓起始材料,然后使砷化镓熔化
机译:由砷,硅和锗掺杂的砷化镓中的砷化镓溶液制备砷化镓晶体的方法
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