Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs

Н. В. Востоков; С. А. Гусев; В. М. Данильцев; М. Н. Дроздов; Ю. Н. Дроздов; А. И. Корытин; А. В. Мурель; В. И. Шашкин; N. V. Vostokov; S. A. Gusev; V. M. Daniltsev; M. N. Drozdov; Yu. N. Drozdov; A. I. Korytin; A. V. Murel; V. I. Shashkin

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs

【24h】

Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs

机译：研究结构与纳米团簇的Al的属性的，嵌入在GaAs构成的矩阵

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицами Al. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.

机译：通过冶金气相外延的方法显示形成人造培养基的可能性，其是具有包埋的Alpartes Al的单晶GaAs的基质。进行了其电气和光学性质的研究。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2005年第1期|共4页
作者
Н. В. Востоков; С. А. Гусев; В. М. Данильцев; М. Н. Дроздов; Ю. Н. Дроздов; А. И. Корытин; А. В. Мурель; В. И. Шашкин; N. V. Vostokov; S. A. Gusev; V. M. Daniltsev; M. N. Drozdov; Yu. N. Drozdov; A. I. Korytin; A. V. Murel; V. I. Shashkin;
展开▼
作者单位

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт прикладной физики Российской академии наук 603000 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Институт физики микроструктур Российской академии наук 603950 Нижний Новгород Россия;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute of Applied Physics Russian Academy of Sciences 603000 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Comparison of 80-200 nm gate length Al/sub 0.25/GaAs/GaAs/(GaAs:AlAs), Al/sub 0.3/GaAs/In/sub 0.15/GaAs/GaAs, and In/sub 0.52/AlAs/In/sub 0.65/GaAs/InP HEMTs [J] . Thayne I.G., Jensen G.U. IEEE Transactions on Electron Devices . 1995,第12期

机译：80-200 nm栅极长度的比较Al / sub 0.25 / GaAs / GaAs /（GaAs：AlAs），Al / sub 0.3 / GaAs / In / sub 0.15 / GaAs / GaAs和In / sub 0.52 / AlAs / In / sub 0.65 / GaAs / InP HEMT
2. Manipulation of linear and nonlinear optical properties of GaSb quantum ring in AlGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well and AlAs/GaAs/InGaAs/AlAs double quantum well [J] . Mohamed Souhail Kehili, Rihab Sellami, Afef Ben Mansour, Optical and quantum electronics . 2020,第6期

机译：AlGaAs / GaAs / Algaas井中GASB量子环的线性和非线性光学性能的操纵，ALAS / GAAS / INGAAS / ALAS双量子阱
3. Suppressed intermixing in InAlGaAs/ AlGaAs/GaAs and AlGaAs/GaAs quantum well heterostructures irradiated with a KrF excimer laser [J] . J. Genest, J.J. Dubowski, V. Aimez Applied Physics . 2007,第2期

机译：用KrF准分子激光器辐照的InAlGaAs / AlGaAs / GaAs和AlGaAs / GaAs量子阱异质结构中的抑制混合
4. Comparison of 80 nm-200 nm gate length Al/sub 0.25/GaAs/GaAs/Al/sub 0.25/GaAs, Al/sub 0.3/GaAs/In/sub 0.15/GaAs/GaAs and In/sub 0.52/AlAs/In/sub 0.65/GaAs/InP HEMTs [C] . Thayne, I., Holland, . 1993

机译：80 nm-200 nm栅长的比较Al / sub 0.25 / GaAs / GaAs / Al / sub 0.25 / GaAs，Al / sub 0.3 / GaAs / In / sub 0.15 / GaAs / GaAs和In / sub 0.52 / AlAs / In /低于0.65 / GaAs / InP HEMT
5. Heterojunctions of the GaAs/AlGaAs system: Crystal growth by metalorganic chemical vapor deposition and characterization using capacitance-voltage techniques for the determination of the conduction band discontinuity [D] . Kawase, Yoshihiro 1987

机译：GaAs / AlGaAs系统的异质结：通过金属有机化学气相沉积进行的晶体生长以及使用电容电压技术进行表征，以确定导带不连续性
6. Theoretical study of strain-dependent optical absorption in a doped self-assembled InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum dot [O] . Tarek A Ameen, Hesameddin Ilatikhameneh, Archana Tankasala, 2018

机译：掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
7. Etude comparative entre les cellules solaires de type udp+-AlGaAs/p-GaAs/n-GaAs et une autre de type n+-AlGaAs/n-GaAs /p-GaAs. [O] . بالي أمينة 2013

机译：ud型太阳能电池的比较研究p + -AlGaAs / p-GaAs / n-GaAs和另一种n + -AlGaAs / n-GaAs / p-GaAs类型。
8. Transient Simulation of AlGaAs/GaAs/AlGaAs and AlGaAs/InGaAs/AlGaAs Hot-Electron Transistors [R] . Hess, K. 1989

机译：alGaas / Gaas / alGaas和alGaas / InGaas / alGaas热电子晶体管的瞬态模拟

Изучение свойств структур с нанокластерами Al, внедренными в матрицу GaAs

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅