О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd_xHg_(1-x)Te при Т = 77 К

А.Г. Белов; И.М. Белова; В.Е. Каневский; М С. Свиридов; АЛ. Шленский; A.G. Belov; I.M. Belova; V.E. Kanevsky; M.S. Sviridov; A.A. Shlensky

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd_xHg_(1-x)Te при Т = 77 К

【24h】

О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd_xHg_(1-x)Te при Т = 77 К

机译：慢电子在霍尔系数为固溶Cd_xHg_（1-x）的碲在T = 77°K的场依赖性效应

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Разработан алгоритм, позволяющий путем подгонки расчетной зависимости коэффициента Холла от индукции магнитного поля R(B) под экспериментальные данные определять значения сгатистических весов и подвижностей свободных носителей заряда Модель применена для описания зависимостей R(B), полученных для материала CdAHgi_jTe (х ~ 0,2) при температуре жидкого азота. Показано, что экспериментальные данные удовлетворительно описываются моделью, предполагающей наличие в образцах быстрых и медленных электронов. Установлено, что вклад медленных электронов тем значительнее, чем сильнее зависимость R(B).

机译：已经开发了算法，其允许将霍尔的系数从磁场R（b）的诱导到实验数据计算的依赖性，以确定模型的自由电量载体的砂砾尺度和移动性的值应用于描述在液氮温度下对Cdahgi_jte材料（x〜0.2）获得的依赖性R（b）。结果表明，通过快速和慢速电子样本假设的模型令人满意地描述了实验数据。建立了缓慢电子的贡献比依赖性r（b）更强。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2007年第10期|共4页
作者
А.Г. Белов; И.М. Белова; В.Е. Каневский; М С. Свиридов; АЛ. Шленский; A.G. Belov; I.M. Belova; V.E. Kanevsky; M.S. Sviridov; A.A. Shlensky;
展开▼
作者单位

Федеральное государственное унитарное предприятие "Гиредмет" 119017 Москва Россия;

Московский государственный индустриальный университет 115280 Москва Россия;

Федеральное государственное унитарное предприятие "Гиредмет" 119017 Москва Россия;

Федеральное государственное унитарное предприятие "Гиредмет" 119017 Москва Россия;

Федеральное государственное унитарное предприятие "Гиредмет" 119017 Москва Россия;

Federal State Unitary Enterprise Giredmet" 119017 Moscow Russia;

Moscow State Industrial University 115280 Moscow Russia;

Federal State Unitary Enterprise Giredmet" 119017 Moscow Russia;

Federal State Unitary Enterprise Giredmet" 119017 Moscow Russia;

Federal State Unitary Enterprise Giredmet" 119017 Moscow Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd_xHg_(1-x)Te при Т = 77 К [J] . А.Г. Белов, И.М. Белова, В.Е. Каневский, Физика и техника полупроводников . 2007,第10期

机译：慢电子对T = 77 K时固溶体Cd_xHg_（1-x）Te的霍尔系数场依赖性的影响
2. Индуцированное и спонтанное излучение структур Cd_xHg_(1-x)Te в диапазоне 3.2-3.7 мкм при 77 K [J] . Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. Л. Котков, Физика и техника полупроводников . 2004,第12期

机译：诱导和自发发射结构Cd_xHg_（1-x）的碲范围在77K 3.2-3.7微米
3. Индуцированное и спонтанное излучение структур Cd_xHg_(1-x)Te в диапазоне 3.2-3.7 мкм при 77 K [J] . Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, А. Л. Котков, Физика и техника полупроводников . 2004,第12期

机译：诱导和自发发射结构Cd_xHg_（1-x）的碲范围在77K 3.2-3.7微米
4. Stimulated emission of optically pumped Cd_xHg_(1-x)Te films in the range 3-5 μm at 77 K [C] . A V Okomelkov, Yu N Nozdrin, A A Andronov, International Conference on Narrow-Gap Semiconductors and Related Materials . 2006

机译：刺激光学泵浦的CD_XHG_（1-X）TE膜的发射范围为3-5μm，77 k
5. OPTICAL ABSORPTION, LUMINESCENCE AND PHOTOBLEACHING OF TRAPPED INTERMEDIATES FORMED IN 3-METHYLPENTANE GLASS BY GAMMA-IRRADIATION AT 77 K. OPTICAL SPECTRA OF MERCURY PHOTOSENSITIZATION REACTION PRODUCTS IN 3-METHYLPENTANE GLASS AT 77 K. [D] . MORINE, GERALD H. 1975

机译：在77 K时通过γ射线辐照形成的3-甲基戊烷玻璃中的中间体的光吸收，发光和光解。3，3-庚烷玻璃中的光致光敏反应产物的光光谱。
6. Sirtuin 7–mediated deacetylation of WD repeat domain 77 (WDR77) suppresses cancer cell growth by reducing WDR77/PRMT5 transmethylase complex activity [O] . Hao Qi, Xiaoyan Shi, Miao Yu, 2018

机译：Sirtuin 7介导的WD重复域77（WDR77）脱乙酰基通过降低WDR77 / PRMT5转甲基酶复合物的活性来抑制癌细胞的生长
7. Characterization of charged defects in Cd_xHg_(1-x)Te and CdTe crystals by electron beam induced current and scanning tunneling spectroscopy [O] . Panin G. N., Diaz-Guerra C., Piqueras de Noriega Javier 1998

机译：电子束感应电流和扫描隧道光谱法表征Cd_xHg_（1-x）Te和CdTe晶体中的带电缺陷

О влиянии медленных электронов на полевые зависимости коэффициента Холла для твердых растворов Cd_xHg_(1-x)Te при Т = 77 К

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅