Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствие сурфа&танта Sb методом молекулярной эпитаксии

Ю-Б. Бблховитянов; А С  Дерябин; А.К. Гутаковский; А В. Колесников; Л В. Соколов; Yu.B. Bolkhovityanov; A.S. Deryabin; A.K. Gutakovskii; L. Kolesnikov; L.V. Sokolov

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствие сурфа&танта Sb методом молекулярной эпитаксии

【24h】

Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствие сурфа&танта Sb методом молекулярной эпитаксии

机译：塑性弛豫的GeSi / Si的（001）膜生长在冲浪＆坦塔锑分子外延方法的存在

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Пластически релаксированные пленки GeSi с долей Ge, равной 0,29-0,42, и толщиной до 0,5мкм выращены на подложках Si(001) с использованием низкогемпературного (350°С) б)'ферного слоя Si и Sb как сурфактанта. Показано, что введение Sb, выглаживающей поверхность пленки на стадии псевдоморфного роста, понижает плотность пронизывающих дислокаций в пластически релаксированной гетероструктуре на 1 - 1,5 порядка, а также уменьшает финишную шероховатость поверхности Среднеквадратичная величина шероховатости меньше чем 1 нм была получена для пленки с содержанием Ge 029 и с плотностью пронизывающих дислокаций около 10б см~2 Предполагается, что влияние сурфактанта основано на том, что в присутствии Sb снижается активность поверхностных источников дислокаций.

机译：使用Si和Sb发酵的低温（350℃）'，凝胶等于0.29-0.42的凝胶等于0.29-0.42的凝胶的凝胶的GESI薄膜和高达0.5μm的厚度层作为表面活性剂。结果表明，将膜表面平滑在假大常生长阶段的Sb的引入，降低了塑性松弛异质结构的永久性脱位密度1-1.5阶，并且还减少了表面的精加工表面对于GE膜029，获得粗糙度小于1nm的RMS粗糙度，并且具有约10bcm〜2的刺穿位错的密度，假设表面活性剂的效果基于以下事实：SB的存在降低了表面脱位的活性。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2007年第10期|共6页
作者
Ю-Б. Бблховитянов; А С Дерябин; А.К. Гутаковский; А В. Колесников; Л В. Соколов; Yu.B. Bolkhovityanov; A.S. Deryabin; A.K. Gutakovskii; L. Kolesnikov; L.V. Sokolov;
展开▼
作者单位

Институт физики полупроводников Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Институт физики полупроводников Российской академии наук 630090 Новосибирск Россия;

Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

Institute of Semiconductor Physics Siberian Branch of Russian Academy of Sciences 630090 Novosibirsk Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Plastic relaxation of GeSi/Si(001) films grown by molecular-beam epitaxy in the presence of the Sb surfactant [J] . Bolkhovityanov YB, Deryabin AS, Gutakovskii AK, Semiconductors . 2007,第10期

机译：在Sb表面活性剂存在下通过分子束外延生长的GeSi / Si（001）薄膜的塑性弛豫
2. Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствие сурфа&танта Sb методом молекулярной эпитаксии [J] . Ю-Б. Бблховитянов, А С Дерябин, А.К. Гутаковский, Физика и техника полупроводников . 2007,第10期

机译：塑性弛豫的GeSi / Si的（001）膜生长在冲浪＆坦塔锑分子外延方法的存在
3. Sb as surfactant at plastic relaxation of GeSi/Si(001) films grown by molecular-beam epitaxy: Reduction of surface roughness value [J] . Yu. B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, Journal of Crystal Growth . 2006,第1期

机译：通过分子束外延生长的GeSi / Si（001）薄膜塑性弛豫时作为表面活性剂的Sb：表面粗糙度值的降低
4. In-plan self-organized two-dimensional-ordered GeSi islands grown on Si001 by molecular beam epitaxy [C] . Peng, C.S., Li, . 2002

机译：通过分子束外延在Si 001上生长的平面自组织二维有序GeSi岛
5. Computer simulations of the structure, stability and phase transitions of diatomic molecules physisorbed on ionic surfaces: the carbon monoxide/magnesium oxide(001), nitrogen/magnesium oxide(001) and nitrogen/sodium chloride(001) systems. [D] . Sallabi, Abdulwahab K. 2002

机译：离子表面上物理吸附的双原子分子的结构，稳定性和相变的计算机模拟：一氧化碳/氧化镁（001），氮/氧化镁（001）和氮/氯化钠（001）系统。
6. A promising routine to fabricate GeSi nanowires via self-assembly on miscut Si (001) substrates [O] . Zhenyang Zhong, Hua Gong, Yingjie Ma, 2011

机译：通过在误切的Si（001）衬底上进行自组装来制造GeSi纳米线的有希望的例程
7. A promising routine to fabricate GeSi nanowires via self-assembly on miscut Si (001) substrates [O] . Zhenyang Zhong, Hua Gong, Yingjie Ma, 2011

机译：通过在误切的Si（001）衬底上进行自组装来制造GeSi纳米线的有希望的例程

Пластическая релаксация пленок GeSi/Si(001), выращенных в присутствие сурфа&танта Sb методом молекулярной эпитаксии

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅