...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ ш диффузии цинка
【24h】

Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ ш диффузии цинка

机译：基于光电池异质结构的GaAs /锗，由相结合的方法获得的MOSGFE瓦特锌扩散

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Сочетанием методов газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и диффузии Zn из газовой фазы были получены Ge-фотоэлементы на основе GaAs/Ge-гетероструктуры, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода, Расчетное значение кпд Ge-фотоэлемента превышает 5.5% при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Достигнутые значения фототока в Ge-фотоэлементе близки к значениям фототока, получаемым в GaAs-фотоэлемеите при одинаковых условиях освещения солнечным излучением с воздушной массой АМО, что обеспечивает возможность создания высокоэффективных каскадных концентраторных солнечных элементов с "верхним" GaAs-элементом и "нижним" Ge-элементом.
机译：通过基于GaAs / Ge异质结构的Ge-Photo Cells从气相中来自气相的气相外延方法与来自气相的扩散Zn的组合，其特征在于光电流和怠速中风的增加，所以计算值在转换浓缩的太阳辐射时，Ge-Photo电池效率超过5.5％。 Ge Photocell中的光电流的达到的值接近在与amo的空气质量的太阳辐射的相同照明条件下GaAs-photoElem中获得的光电流值，这使得可以高度创造高效级联集中太阳能电池，具有“上”GaAs元件和“下”GE元素。

著录项

  • 来源
  • 作者

    В. М. Андреев; В. П. Хвостиков; Н. А. Калюжный; С. С. Титов; О. А. Хвостикова; М. З. Шварц; V. M. Andreev; V. P. Khvostikov; N. A. Kaluzhniy; S. S. Titkov; O. A. Khvostikova; M. Z. Shvarts;

  • 作者单位

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Science 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Science 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Science 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Science 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Science 194021 St. Petersburg Russia;

    Ioffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Science 194021 St. Petersburg Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号