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金辅助MOCVD生长InP/GaAs轴向异质结构纳米线的研究

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本文采用金辅助金属有机物化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长了InP／GaAs轴向串接异质结构纳米线。扫描电子显微镜分析表明，GaAs纳米线部分整齐排列垂直于衬底，生长在GaAs纳米线上的InP纳米线沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长，生长的InP／GaAs纳米线异质结构具有复杂而多样的形貌的特点。此外，本文详细分析了导致InP／GaAs纳米线生长方向混乱的机理。

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来源
《第十二届全国固体薄膜会议》|2010年|257-259|共3页
会议地点南宁
作者
叶显; 黄辉; 蔡世伟; 郭经纬; 任晓敏; 王琦; 张霞; 黄永清;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类特种结构材料;
关键词
纳米线异质结构; 气液固生长机制; 金属有机化学气相沉淀法;

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