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基于纳球光刻图形化GaAs衬底异质生长InP的局域化表面成核层生长研究

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本文通过光学显微镜、原子力显微镜、微拉曼光谱对基于ART机理的在纳球光刻GaAs衬底孔洞区异质外延InP成核层开展研究.结果显示InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,而与MOCVD的生长条件息息相关.通过和渐变缓冲层生长比较,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但是其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度至埃量级,微拉曼光谱测试显示了它的二维生长.该研究有助于后期在基于ART机理的GaAs图形衬底上生长InP体材料.

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来源
《第十四届全国固体薄膜学术会议》|2014年|202-208|共7页
会议地点贵阳
作者
戚永乐; 张瑞英; 张震; 朱健; 王岩岩; 孙玉润; 赵勇明; 董建荣; 王庶民;
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作者单位

中国电子学会;

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23:TN304.054;
关键词
磷化铟材料; 成核层; 砷化镓衬底; 异质生长; 表面形貌; 纳球光刻技术;

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