GaAs/InGaAs异质结构纳米线定向生长的研究进展

曾丽娜; 李林; 李再金; 乔忠良; 曲轶; 彭鸿雁

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GaAs/InGaAs异质结构纳米线定向生长的研究进展

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cqvip:GaAs/InGaAs异质结构纳米线具有直接带隙、载流子迁移率高等优点,在半导体激光器、场效应晶体管、太阳能电池及红外光探测器等光电子器件领域具有广阔的应用前景,受到国内外广泛关注。目前,研究机构大多数基于纳米图形的纳米线定向生长研究,但由于图形的纳米尺寸效应,导致GaAs/InGaAs柱状纳米线生长质量变差。本文介绍了GaAs/InGaAs异质结构纳米线的性能优势和发展现状,综述了GaAs/InGaAs异质结构纳米线定向外延生长及其发光特性的研究进展,讨论了其技术难题及发展前景。

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来源
《光电子》 |2020年第1期|P.8-17|共10页
作者
曾丽娜; 李林; 李再金; 乔忠良; 曲轶; 彭鸿雁;
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作者单位

海南师范大学物理与电子工程学院海南海口;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
半导体; 纳米线; 外延生长;

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