Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果

陈效建

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Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果

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讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点.藉助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT用异质层结构的数值计算及CAD优化.确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度与厚度.上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果.

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来源
《电子学报》 |1998年第11期|120-123|共4页
作者
陈效建;
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作者单位

南京电子器件研究所,南京,210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类计算技术、计算机技术;
关键词
AlGaAs/InGaAs低噪声; 赝配高速电子迁移率晶体管; CAD Schroedinger/Poisson方程解析器; 优化;

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