Формирование потенциальных барьеров на контакте металл-полупроводник с использованием метода селективного удаления атомов

Б. А. Гурович; Б. А. Аронзон; В. В. Рыльков; Е. Д. Ольшанский; Е. А. Кулешова; Д. И. Долгий; Д. Ю. Ковалев; В. И. Филиппов; B. A. Gurovich; B. A. Aronzon; V. V. Rylkov; E. D. Olshansky; E. A. Kuleshova; D. I. Dolgy; D. Yu. Kovalev; V. I. Filippov

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Формирование потенциальных барьеров на контакте металл-полупроводник с использованием метода селективного удаления атомов

【24h】

Формирование потенциальных барьеров на контакте металл-полупроводник с использованием метода селективного удаления атомов

机译：势垒的在金属 - 半导体使用选择性去除原子的方法形成

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Исследована возможность формирования потенциального рельефа в полупроводнике путем создания на его поверхности металлической пленки, полученной селективным удалением атомов (СУА) кислорода пучком ускоренных протонов (с энергией около 1 кэВ) из предварительно нанесенного оксида металла. В качестве полупроводникового материала выбраны пленки эпитаксиально выращенного GaAs толщиной ~ 100нм и с концентрацией электронов 2'10псм~3, а в качестве металла - W, полученный из GaAs. Потенциальный рельеф формировался за счет образования барьера Шоттки на границе W/GaAs. Обнаружено, что при использовании метода СУА формируется заметно более высокий барьер Шоттки на контакте W с GaAs(~ 1 эВ), чем при использовании обычной технологии нанесения металла (0.8 эВ для W/GaAs). Представлены данные, свидетельствующие об отсутствии дефектной прослойки в подзатворной области структур, наиболее подвергаемой воздействию протонов. В частности, показано, что подвижность электронов в этой области совпадает с подвижностью объемного GaAs с тем же уровнем легирования.

机译：通过在通过从预制金属中选择通过选择性地除去氧原子（上原）（具有约1keV）的氧原子（上子原）而获得的金属膜的表面来形成半导体中的潜在浮雕的可能性研究了氧化物。作为半导体材料，选择厚度为100nm的外延生长的GaAs薄膜和电子2'10psm〜3的浓度，以及作为由GaAs获得的金属-W的浓度。通过在W / GaAs的肖特基势垒形成潜在的浮雕。结果发现，当使用Suo方法时，形成具有GaAs（〜1eV）的接触W上明显更高的肖特基，而不是使用常规金属应用技术（0.8eV / GaAs）。提出了数据，表明在最常见于质子的结构的替换区域中没有缺陷的中间层。特别地，示出了该区域中电子的迁移率与具有相同掺杂水平的体积GaAs的迁移率一致。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2004年第9期|共5页
作者
Б. А. Гурович; Б. А. Аронзон; В. В. Рыльков; Е. Д. Ольшанский; Е. А. Кулешова; Д. И. Долгий; Д. Ю. Ковалев; В. И. Филиппов; B. A. Gurovich; B. A. Aronzon; V. V. Rylkov; E. D. Olshansky; E. A. Kuleshova; D. I. Dolgy; D. Yu. Kovalev; V. I. Filippov;
展开▼
作者单位

Российский научным центр "Курчатовским институт" 123182 Москва Россия;

Российский научным центр "Курчатовским институт" 123182 Москва Россия;

Российский научным центр "Курчатовским институт" 123182 Москва Россия;

Российский научным центр "Курчатовским институт" 123182 Москва Россия;

Российский научным центр "Курчатовским институт" 123182 Москва Россия;

Российский научным центр "Курчатовским институт" 123182 Москва Россия;

Российский научным центр "Курчатовским институт" 123182 Москва Россия;

Российский научным центр "Курчатовским институт" 123182 Москва Россия;

Russian Research Center Kurchatov Institute" 123182 Moscow Russia;

Russian Research Center Kurchatov Institute" 123182 Moscow Russia;

Russian Research Center Kurchatov Institute" 123182 Moscow Russia;

Russian Research Center Kurchatov Institute" 123182 Moscow Russia;

Russian Research Center Kurchatov Institute" 123182 Moscow Russia;

Russian Research Center Kurchatov Institute" 123182 Moscow Russia;

Russian Research Center Kurchatov Institute" 123182 Moscow Russia;

Russian Research Center Kurchatov Institute" 123182 Moscow Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

中文文献
专利

Формирование потенциальных барьеров на контакте металл-полупроводник с использованием метода селективного удаления атомов

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅