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金属氧化物半导体传感器和使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法

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摘要

一种半导体传感器设备包括：衬底；非适合晶种层，位于衬底上方；至少一个电极，位于非适合晶种层上方；以及多孔感测层，直接由非适合晶种层支持并且与至少一个电极电通信，多孔感测层定义使用原子层沉积通过在非适合晶种层上的间隔开的成核而形成的多个晶界。

1. 金属氧化物半导体传感器和使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法 [P] . 中国专利： CN105900236B . 2020.03.17
2. 互补金属氧化物半导体传感器及其形成方法 [P] . 中国专利： CN109768058A . 2019-05-17
3. Metal Oxide Semiconductor Sensor and Method of Forming a Metal Oxide Semiconductor Sensor Using Atomic Layer Deposition [P] . 美国专利： US2015118111A1 . 2015-04-30

机译：金属氧化物半导体传感器和使用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法
4. METHOD OF FORMING A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CORRESPONDING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3063791B1 . 2018-05-30

机译：利用原子层沉积和对应的金属氧化物半导体传感器形成金属氧化物半导体传感器的方法
5. METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR AND METHOD OF FORMING A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR SENSOR USING ATOMIC LAYER DEPOSITION [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3063791A4 . 2017-04-12

机译：金属氧化物半导体传感器及利用原子层沉积形成金属氧化物半导体传感器的方法