Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Б.А.Борисов; С.Н.Никишин; В.В.Курятков; В.И.Кучинский; M Holtz; H Temkin; B. A. Borisov; S. A. Nikishin; V. V. Kuryatkov; V. I. Kuchinskii; M. Holtz; H. Temkin

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

【24h】

Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

机译：增加辐射复合量子阱的AlGaN，通过分子束外延生长

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Исследованы зависимости интенсивности катодолюминесценции множественных квантовых ям Al0.55Ga0.45N/Al0.45Ga0.55N, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от условий роста. Наблюдается увеличение почти на 2 порядка интенсивности пика катодолюминесценции с энергией 4.45 эВ при росте слоя квантовой ямы в режиме сильного обеднения по аммиаку. На картине дифракции быстрых электронов при этом появляется тенденция к режиму трехмерного роста, эффект интерпретируется в модели формирования квантовых точек AlGaN.

机译：通过分子束外延生长的多量子孔Al0.55Ga0.45N / Al0.45Ga0.55N的阴极发光强度的依赖性来自生长条件。在氨中强烈耗尽的模式中，催化剂致催化峰的峰值的峰值峰的峰值峰的峰值峰值增加了几乎增加了4.45eV的能量。在快速电子衍射的图像中，存在三维生长模式的趋势，在模型中解释了形成AlGaN量子点的模型。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2006年第4期|共4页
作者
Б.А.Борисов; С.Н.Никишин; В.В.Курятков; В.И.Кучинский; M Holtz; H Temkin; B. A. Borisov; S. A. Nikishin; V. V. Kuryatkov; V. I. Kuchinskii; M. Holtz; H. Temkin;
展开▼
作者单位

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук 194021 Санкт-Петербург Россия;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

loffe Physicotechnical Institute Russian Academy of Sciences 194021 St. Petersburg Russia;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

Department of Electrical Engineering Texas Tech University Lubbock TX 79409 USA;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Numerical investigation on AlGaN/GaN short channel HEMT with AlGaN/InGaN/AlGaN quantum well plate [J] . Wang Zeheng, Cao Jun, Sun Ruize, Superlattices and microstructures . 2018,第AUGa期

机译：AlGaN / InGaN / AlGaN量子阱板对AlGaN / GaN短沟道HEMT的数值研究
2. Advantages of deep-UV AlGaN light-emitting diodes with an AlGaN/AlGaN superlattices electron blocking layer [J] . Yi An Yin, Naiyin Wang, Shuti Li, Applied Physics . 2015,第1期

机译：具有AlGaN / AlGaN超晶格电子阻挡层的深紫外AlGaN发光二极管的优势
3. Material growth and device characterization of AlGaN/GaN single-heterostructure and AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure field effect transistors on Si substrates [J] . Yu-Lin Hsiao, Chia-Ao Chang, Edward Yi Chang, _Applied Physics Express . 2014,第5期

机译：Si衬底上的AlGaN / GaN单异质结构和AlGaN / GaN / AlGaN双异质结构场效应晶体管的材料生长和器件表征
4. Study of Current Collapse in Single (AlGaN/GaN) and Double (AlGaN/GaN/AlGaN) Heterostructure Enhancement Mode HEMTs [C] . Chun-Hsun Lee, Shin-Yi Ho, Jin-Xiang Zhang, International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology . 2017

机译：单（AlGaN / GaN）和双（AlGaN / GaN / AlGaN）异质增强模式Hemts的研究
5. Optical Gain and Modal Loss in AlGaN Based Deep UV Lasers =Optischer Gewinn und modale Verluste in AlGaN-basierten UVC Laserdioden [D] . Martens, Martin Georg Rudolf. 2018

机译：基于AlGaN的深紫色激光器中的光学增益和模态损耗=基于Algan的UVC激光二极管中的光学利润和模态损耗
6. On the p-AlGaN-AlGaN/p-AlGaN Current Spreading Layer for AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes [O] . Jiamang Che, Chunshuang Chu, Kangkai Tian, 2018

机译：在基于AlGaN的深紫外发光二极管的p-AlGaN / n-AlGaN / p-AlGaN电流扩散层上
7. On the p-AlGaN/n-AlGaN/p-AlGaN Current Spreading Layer for AlGaN-based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes [O] . Jiamang Che, Chunshuang Chu, Kangkai Tian, 2018

机译：在基于AlGaN的深度紫外发光二极管的P-AlGaN / N-AlGaN / P-AlGaN电流扩散层
8. Donors, Acceptors, and Traps in AlGaN and AlGaN/GaN Epitaxial Layers [R] . Look, D. C. 2006

机译：alGaN和alGaN / GaN外延层中的供体，受体和陷阱

Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅