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分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法

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摘要

本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延AlN插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlN插入层上外延一层AlxGa(1‑x)N层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlxGa(1‑x)N层上外延一层GaN盖帽层。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与AlxGa(1‑x)N薄膜层之间生长不同厚度AlN插入层，能够优化AlxGa(1‑x)N/AlN/GaN异质结中二维电子气低温输运的特性问题。

著录项

  • 公开/公告号CN110112061A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN201910428331.8

  • 发明设计人 刘斌;初嘉鹏;谢自力;陶涛;李振华;吴耀政;赵红;陈敦军;张荣;

    申请日2019-05-22

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L21/335(20060101);H01L29/20(20060101);H01L29/205(20060101);

  • 代理机构32332 江苏斐多律师事务所;

  • 代理人张佳妮

  • 地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

  • 入库时间 2024-02-19 12:45:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20190522

    实质审查的生效

  • 2019-08-09

    公开

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