900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制

谭永亮; 张力江; 段雪; 周国

首页> 中文期刊> 《电力电子技术》 >900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制

900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

制作了不同阳极尺寸和阴阳极间距900 V/10 A硅(Si)基AlGaN/GaN二极管,研究了不同阴阳极间距对二极管正向导通和反向关断特性的影响.不同规格的二极管其开启电压均为0.7 V@1 mA/mm,其中正向导通电流最大为13.8 A@1.5 V,反向击穿电压均为900 V@10 μA/mm.同时设计制作了小尺寸AlGaN/GaN二极管,通过测试发现小尺寸二极管的比导通电阻要优于大尺寸二极管,主要原因为大尺寸二极管上的金属布线引入了一部分附加电阻.

著录项

来源
《电力电子技术》 |2020年第10期|24-26|共3页
作者
谭永亮; 张力江; 段雪; 周国;
展开▼
作者单位

河北半导体研究所河北石家庄050051;

河北半导体研究所河北石家庄050051;

河北半导体研究所河北石家庄050051;

河北半导体研究所河北石家庄050051;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体二极管;
关键词
肖特基二极管; 异质结; 阴阳极间距;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展 [J] . 康玄武 ,郑英奎 ,王鑫华 . 电源学报 . 2019,第003期
2. 高Al组份AlGaN/GaN异质外延材料生长及肖特基势垒二极管制备 [J] . 王进军 ,王侠 . 人工晶体学报 . 2015,第12期
3. GaN/SiC基异质结亚毫米波IMPATT二极管特性研究 [J] . 李秀圣 . 潍坊学院学报 . 2020,第002期
4. MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料 [J] . 李忠辉 ,李亮 ,董逊 . 固体电子学研究与进展 . 2009,第4期
5. 基于国产外延材料的SiC基AlGaN/GaN HEMT器件研制 [J] . 陈晓娟 ,李诚瞻 ,刘新宇 . 电子器件 . 2007,第003期
6. 从AlGaN/GaN异质结肖特基二极管正向I-V特性中提取势垒高度的方法 [C] . 栾崇彪 ,林兆军 ,孟令国 . 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 . 2010
7. 肖特基浮动金属环对AlGaN/GaN异质结肖特基二极管的性能影响研究 [A] . 宋超凡 . 2011

900 V/10 A Si基AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研制

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅