Твердые растворы (C_2~(IV))_(1-x)(A~(III)B~V)_X, полученные из ограниченного объема оловянного раствора-расплава

Б. Сапаев; М. С. Саидов; А. С. Саидов; С. Ж. Каражанов; B. Sapaev; M. S. Saidov; A. S. Saidov; S. J. Karazhanov

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Твердые растворы (C_2~(IV))_(1-x)(A~(III)B~V)_X, полученные из ограниченного объема оловянного раствора-расплава

【24h】

Твердые растворы (C_2~(IV))_(1-x)(A~(III)B~V)_X, полученные из ограниченного объема оловянного раствора-расплава

机译：固体溶液（C_2〜（IV））_（1-X）（A〜（III）乙〜V）_X，从锡的量有限而获得熔化溶液

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывного ряда твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора-расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si_2)_(1-x)GaAs), (0 ≤ x ≤ 0.96) и (Si_2)_(1-x)(GaP), (0≤х≤1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине слоев (Si_2)_(1-x)(GaP)_x, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si-(Si_2)_(1-x)(GaAs) и Si-(Si_2)_(1-x)(GaP)_x. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывает на структурное совершенство выращенных твердых растворов (C_2~(IV))_(1-x)(A~(III)B~V)_x.

机译：从广义时刻的位置形成连续系列固体取代溶液的理论先决条件，给出了源部件的价值和共价半径的差异。基于这些研究，通过强制冷却外延层（Si_2）_（1-x）GaAs）的方法获得获得锡溶液的方法，（0≤x≤0.96）和（Si_2）_（ 1-x）（间隙），硅基板上（0≤x≤1）。厚度的组分分布在层（Si_2）_（1-x）（间隙）_x，光敏性和伏安 - 异质结构Si-（Si_2）_（1-x）（GaAs）和Si-（ SI_2）_（1 -X）（间隙）_x。分析所获得的外延层的X射线研究和光伏性能的结果，表明生长固溶体的结构完美（C_2〜（IV））_（1-x）（a〜（iii）b〜v ） _X。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2004年第11期|共9页
作者
Б. Сапаев; М. С. Саидов; А. С. Саидов; С. Ж. Каражанов; B. Sapaev; M. S. Saidov; A. S. Saidov; S. J. Karazhanov;
展开▼
作者单位

ФТИ НПО "Физика - Солнце " Академии наук Республики Узбекистан 700084 Ташкент Узбекистан;

ФТИ НПО "Физика - Солнце " Академии наук Республики Узбекистан 700084 Ташкент Узбекистан;

ФТИ НПО "Физика - Солнце " Академии наук Республики Узбекистан 700084 Ташкент Узбекистан;

ФТИ НПО "Физика - Солнце " Академии наук Республики Узбекистан 700084 Ташкент Узбекистан;

Physical-Technical Institute Scientific-Production Corporation Physics-Sun" Academy of Sciences of Uzbekistan" 700084 Tashkent Uzbekistan;

Physical-Technical Institute Scientific-Production Corporation Physics-Sun" Academy of Sciences of Uzbekistan" 700084 Tashkent Uzbekistan;

Physical-Technical Institute Scientific-Production Corporation Physics-Sun" Academy of Sciences of Uzbekistan" 700084 Tashkent Uzbekistan;

Physical-Technical Institute Scientific-Production Corporation Physics-Sun" Academy of Sciences of Uzbekistan" 700084 Tashkent Uzbekistan;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Твердые растворы (C_2~(IV))_(1-x)(A~(III)B~V)_X, полученные из ограниченного объема оловянного раствора-расплава [J] . Б. Сапаев, М. С. Саидов, А. С. Саидов, Физика и техника полупроводников . 2004,第11期

机译：从有限体积的锡溶液熔融物中获得的固溶体（C_2〜（IV））_（1-x）（A〜（III）B〜V）_X
2. BULK MODULUS AND MICROHARDNESS OF A~I B~(III) C_2~(VI) AND A~(II) B~(IV) C_2~V CHALCOFYRITE SEMICONDUCTORS [J] . S.KUMAR, A.S.VERMA, S. R. BHARDWAJ, Acta Ciencia Indica . 2010,第1期

机译：A〜I B〜（III）C_2〜（VI）和A〜（II）B〜（IV）C_2〜V硫铁矿型半导体的本体模量和微核化
3. Interatomic Force Constant of A~(II)B~(IV)C_2~V and A~IB~(III)C_2~(VI) Semiconductors [J] . V. Kumar, D. Chandra Physica status solidi, B. Basic research . 1999,第1期

机译：A〜（II）B〜（IV）C_2〜V和A〜IB〜（III）C_2〜（VI）半导体的原子间力常数
4. The Influence of Defects on Proton Diffusion in Perovskites A~(II)B~(IV)_(1-x)R~(III)_xO_(3-δ): Monte Carlo Study [C] . V. I. Tsidilkovski, M. Z. Uritsky, A. N. Varaksin, International Conference on Diffusion in Solids and Liquids . 2006

机译：缺陷对钙钛矿质子扩散的影响〜（ii）b〜（iv）_（1-x）r〜（iii）_xo_（3-δ）：蒙特卡罗研究
5. Growth mechanisms and electronic structure of epitaxial (III-V)(1-x)(IV(2))(x) metastable semiconductors. [D] . Fons, Paul James. 1990

机译：外延（III-V）（1-x）（IV（2））（x）亚稳态半导体的生长机理和电子结构。
6. Synthesis Characterization and Application of Iron(II) Doped Copper Ferrites (CuII(x)FeII(1-x)FeIII2O4) as Novel Heterogeneous Photo-Fenton Catalysts [O] . Asfandyar Khan, Zsolt Valicsek, Ottó Horváth 2020

机译：铁（II）掺杂铜铁氧体（CuII（x）FeII（1-x）FeIII2O4）的合成表征及应用
7. Magnetism and superconductivity in U_2Pt_xRh_(1-x)C_2 [O] . Wakeham, N., Ni, Ni, Bauer, E. D., 2015

机译：U_2pt_xRh_（1-x）C_2中的磁性和超导性
8. LIQUID PHASE FISCHER-TROPSCH (III & IV) DEMONSTRATION IN THE LAPORTE ALTERNATIVE FUELS DEVELOPMENT UNIT. Final Topical Report. Volume I/II: Main Report. Task 1: Engineering Modifications (Fischer-Tropsch III & IV Demonstration) and Task 2: AFDU Shakedown, Operations, Deactivation (Shut-Down) and Disposal (Fischer-Tropsch III & IV Demonstration) [R] . 1999

机译：LapORTE替代燃料开发装置中的液相FIsCHER-TROpsCH（III和IV）演示。最终专题报告。第I / II卷：主要报告。任务1：工程修改（Fischer-Tropsch III和IV演示）和任务2：aFDU shakedown，操作，停用（关闭）和处置（Fischer-Tropsch III和IV演示）

Твердые растворы (C_2~(IV))_(1-x)(A~(III)B~V)_X, полученные из ограниченного объема оловянного раствора-расплава

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅