...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Аномальная растворимость имплантированного азота в кремнии, сильно легированном бором
【24h】

Аномальная растворимость имплантированного азота в кремнии, сильно легированном бором

机译:在硅氮的异常植入溶解度重掺杂有硼

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Установлено, что в кремнии, предварительно сильно легированном бором с помощью ионной имплантации, при последующей "горячей" имплантации азота имеет место аномально высокая концентрация электронов, которая может превышать концентрацию бора. Предложена модель этого явления, основанная на реакции вытеснения бора из узлов решетки собственными межузельными атомами кремния и последующего замещения атомами азота (донорными центрами).
机译:已经确定,在硅中,具有离子注入的预合金硼,随后的“热”氮气注入,发生异常高浓度的电子,其可能超过硼浓度。 提出了这种现象的模型,基于硼从晶格节点与其自身间质硅原子的反应和随后的氮原子(供体中心)的反应来提出。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Н;

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Н;

    Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского 603950 Нижний Н;

    Physicotechnical Research Institute of the University of Ntzhny Novgorod 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Physicotechnical Research Institute of the University of Ntzhny Novgorod 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Physicotechnical Research Institute of the University of Ntzhny Novgorod 603950 Nizhny Novgorod Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号