Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния

Н.Н.Кононов; Г.П.Кузьмин; А.Н.Орлов; А.А.Сурков; О.В.Тихоневич; N. N. Kononov; G. P. Kuz’min; A. N. Orlov; A. A. Surkov; O. V. Tikhonevich

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния

【24h】

Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния

机译：薄板的光学和电学性质由纳米晶硅粉末的

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Исследованы инфракрасные спектры пропускания и темновая проводимость пластин, изготовленных из порошков нанокристаллического кремния (nc-Si). Исходные порошки nc-Si синтезировались методом лазерно-индуцированной диссоциации силана в диапазоне температур окружающего буферного газа от 20 до 250oC и затем прессовались при давлениях от 108 до 109 Па. Обнаружено, что в процессе прессования порошков nc-Si в них формируются структуры Si--H, Si--CHx и Oy--Si--Hx (x,y=1-3). Образованные структуры разрушаются при отжиге пластин, причем наименьшая температура отжига (t=160oC) требуется для разрушения комплексов Si--H, Si--CHx. Показано, что темновая проводимость пластин nc-Si возрастает с увеличением температуры буферного газа, при которой синтезировался исходный порошок. Обнаружено, что существуют две температурные области, в которых темновая проводимость пластин имеет качественно различный характер. При температурах пластин T>=q 270 K проводимость связана со свободными носителями заряда, в то время как при меньших температурах электронный транспорт определяется прыжковой проводимостью по локализованным состояниям в запрещенной зоне.

机译：研究了由纳米晶硅粉末（NC-Si）制成的板的红外透射光谱和暗导率。通过在20至250℃的环境缓冲气体温度范围内激光诱导的硅烷的激光诱导的硅烷解离合成初始NC-Si粉末，然后在108至109pa的压力下压制。发现，在压制NC-Si粉末的过程中，在它们中形成结构Si-H，Si-ChX和OY-Si - HX（X，Y = 1-3）。所形成的结构在退火板中被破坏，具有消耗Si-HX的最小退火温度（T = 160oC）。结果表明，NC-Si平板的暗导性随着缓冲气体的温度的增加而增加，在该缓冲气体的温度上合成。已经发现，有两个温度区域，其中板的暗导率具有定性不同的特征。在平板T> = Q 270k的温度下，导电性与自由电荷载波相关联，而在较小的温度下，通过在禁止区域中的局部状态的导通来确定电子传输。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2005年第7期|共6页
作者
Н.Н.Кононов; Г.П.Кузьмин; А.Н.Орлов; А.А.Сурков; О.В.Тихоневич; N. N. Kononov; G. P. Kuz’min; A. N. Orlov; A. A. Surkov; O. V. Tikhonevich;
展开▼
作者单位

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук 119991 Mocква Россия;

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук 119991 Mocква Россия;

Центр естественно-научных исследований при Институте общей физики Российской академии наук 119991 Москва Россия;

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук 119991 Mocква Россия;

Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук 119991 Mocква Россия;

Prokhorov General Physics Institute Russian Academy of Sciences ul. Vavilova 38 Moscow 119991 Russia;

Prokhorov General Physics Institute Russian Academy of Sciences ul. Vavilova 38 Moscow 119991 Russia;

Natural Sciences Center at the Prokhorov General Physics Institute Russian Academy of Sciences ul. Vavilova 38 Moscow 119991 Russia;

Prokhorov General Physics Institute Russian Academy of Sciences ul. Vavilova 38 Moscow 119991 Russia;

Prokhorov General Physics Institute Russian Academy of Sciences ul. Vavilova 38 Moscow 119991 Russia;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

中文文献
专利

Оптические и электрические свойства тонких пластин, изготовленных из нанокристаллических порошков кремния

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅