Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe

С.И.Драпак; М.О.Воробец; З.Д.Ковалюк; S. I. Drapak; M. O. Vorobets; Z. D. Kovalyuk

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe

【24h】

Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe

机译：的单轴压缩参数的影响的光转换光学接触的p GASE - 正InSe系

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Исследовано влияние механического давления в направлении, перпендикулярном плоскости локализации границы раздела гетеропереходов n-InSe--p-GaSe, на изменение фотоэдс насыщения и тока короткого замыкания. Показано, что в оптических контактах InSe/GaSe, находящихся под воздействием давления P=35-40 кПа, наблюдается увеличение напряжения холостого хода почти в 2 раза и тока короткого замыкания более чем в 5 раз по сравнению с исходными образцами, что позволяет прогнозировать возможность увеличения кпд фотопреобразования таких структур до 15-16%.

机译：研究了机械压力在垂直于N-Inse-P-Gase的分离部分边界的定位平面的方向上的影响，改变饱和和短路电流的光ad。结果表明，在压力P = 35-40kPa的影响下的内侧/ Gase的光学触点中，行程电压的增加几乎2倍，并且与初始样品相比，短路电流大于5次。，这使您可以预测增加效率的结构效率高达15-16％。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2005年第5期|共3页
作者
С.И.Драпак; М.О.Воробец; З.Д.Ковалюк; S. I. Drapak; M. O. Vorobets; Z. D. Kovalyuk;
展开▼
作者单位

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Черновицкое отделение Национальной академии наук Украины 58001 Черновцы Украина;

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Черновицкое отделение Национальной академии наук Украины 58001 Черновцы Украина;

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Черновицкое отделение Национальной академии наук Украины 58001 Черновцы Украина;

Frantsevich Institute for Problems in Materials Science Chernovtsy Branch National Academy of Sciences of Ukraine ul. Zhovteva 5 Chernovtsy 58001 Ukraine;

Frantsevich Institute for Problems in Materials Science Chernovtsy Branch National Academy of Sciences of Ukraine ul. Zhovteva 5 Chernovtsy 58001 Ukraine;

Frantsevich Institute for Problems in Materials Science Chernovtsy Branch National Academy of Sciences of Ukraine ul. Zhovteva 5 Chernovtsy 58001 Ukraine;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe [J] . С.И.Драпак, М.О.Воробец, З.Д.Ковалюк, Физика и техника полупроводников . 2005,第5期

机译：单轴压缩对p-GaSe-n-InSe光学触点光转换参数的影响
2. Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe [J] . С.И.Драпак, М.О.Воробец, З.Д.Ковалюк, Физика и техника полупроводников . 2005,第5期

机译：的单轴压缩参数的影响的光转换光学接触的p GASE - 正InSe系

Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅