...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками 0е(8|)/81(001)
【24h】

Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками 0е(8|)/81(001)

机译:可光并用自组装岛屿0E(8 |)的多层结构的电致发光的对比分析/ 81(001)

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Выполнены сравнительные исследования фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Се (8])/81(001) Сигнал люминесценции островков наблюдается вплоть до комнатной температуры. Отжиг структур приводит к коротковолновому сдвигу пика люминесценции, величина которого зависит от температуры отжига, что позволяет контролируемо изменять спектральное положение пика люминесценции островков Се(80 в диапазоне 1,3-1.55 мкм. Увеличение температурного гашения фотолюминесценции островков с ростом температуры отжига связывается со снижением содержания Се в островках в процессе отжига, что приводит к уменьшению глубины потенциальной ямы для ддарок в островках. Продемонстрировано существенное подавление температурного гашения электролюминесценции островков Се(§1) в неогожженной структуре при увеличении тока накачки.РАС5: 78,55 Ар, 78.60.И, 78.67..Нс, 81"07.Та
机译:用Ce(8] / 81(001)的自储能岛的多层结构的光发光对比较研究(8] / 81)岛的发光信号被观察到室温。结构的退火导致短波发光峰值偏移,其幅度取决于退火温度,这允许您控制Ce胰岛的发光峰的光谱位置(80在1.3-1.55μm的范围内。胰岛光致发光的温度营养增加随着退火温度与滞留减少相关的。在退火过程中的岛屿中的CE,导致岛屿中白天潜在坑的深度减少。显着抑制CE胰岛电致发光的温度包裹(§1)以非裸露的结构证明,随着泵电流的增加。78.60。和78.67..N,81“07。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    ститут физики микроструктур Российской академии наук "03950 Нижний Новгород Россия;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

    Institute for Physics of Microstructures Russian Academy of Sciences 603950 Nizhny Novgorod Russia;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号