...
首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdS_xSe_(1-x)
【24h】

Модель фотоотжига собственных дефектов гексагональных квантовых точек CdS_xSe_(1-x)

机译:模型fotootzhiga内在缺陷六边形量子点CdS_xSe_(1-x)的

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

На основе исследований кинетики фотоиндуцированного затухания люминесценции квантовых точек CdS_xSe_(1-x), синтезированных в стеклянной матрице, и расчетов ab initio энергий химических связей на границе раздела фаз в кластере типа n(CdSe)-SiO_x. обоснован возможный механизм фотоотжига собственных дефектов квантовых точек с гексагональной структурой кристаллической решетки. Модель состоит в том, что индуцируемый светом разрыв связей Se-O co стороны анионной грани ведет к увеличению напряженности электрического поля внутри квантовой точки, под действием которого вакансии кадмия дифундируют к поверхности. Такая модель позволяет объяснить наблюдаемые при фотоотжиге эффекты деградации люминесценции и параметров нелинейных оптических устройств на их основе.
机译:基于对玻璃基质中的量子点Cds_XSE_(1-X)发光发光的动力学的研究,以及在N型(CDSE)中相分区边界的AB初始化学键的计算(CDSE )-sio_x。证实了其自身缺陷的光学性能的可能机制,其具有晶格的六边形结构的量子点的缺陷。该模型包括:在镉空位扩散到表面的动作下,阴离子面的SE-O Co侧的光引起的SE-O Co侧的侧侧的侧面引起的电场强度的增加。这样的模型允许您解释在观察到在影中观察到的非线性光学器件的发光劣化和参数的影响。

著录项

  • 来源
  • 作者单位

    Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины 03028 Киев Украина;

    Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academie of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

    Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academie of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

    Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academie of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

    Lashkarev Institute of Semiconductor Physics National Academie of Sciences of Ukraine 03028 Kiev Ukraine;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 rus
  • 中图分类 半导体物理学;
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号