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GaAs微波大功率内匹配晶体管研究

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本文介绍了GaAs微波大功率FET的设计、制作和性能,内匹配功率合成技术研究等.工艺采用高质量MBE材料,成功地制作了大栅宽(单胞12mm、20mm)的芯片,经内匹配,合成器件在C波段3.7-4.2GHz,P<,-Idb>≥30W,G<,p>≥10Db,5.2-5.8GHz,P<,-Idb>≥28-30W,G<,p>≥8dB,X波段8.6-9.6GHz,输出功率20瓦;Ku波段,带宽500MHz,输出功率16瓦.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|333-336|共4页
会议地点厦门
作者
王同祥; 李岚; 李增路; 关富民; 宋俊奎;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN325.3;
关键词
MESFET; 砷化镓晶体管; 工作原理; 结构设计;

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