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Si衬底上无裂纹GaN膜的GSMBE生长

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通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们得到的无裂纹GaN外延层的双晶回摆曲线半峰宽为16.55弧分(993arcsec).

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|74-77|共4页
会议地点厦门
作者
罗木昌; 王晓亮; 刘宏新; 王雷; 李晋闽; 孙殿照; 曾一平; 林兰英;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.054.4;
关键词
分子束外延; 氮化镓; 半导体材料; 外延生长; 质量评价; 表面裂纹;

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