首页> 中文会议>第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 >InP体材料的GDMS测试研究

InP体材料的GDMS测试研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用了一种新的质谱方法--辉光放电质谱(GDMS)测试对LEC-InP体材料进行了杂质含量的测试分析.比较了国际主要InP体材料供应商用同样方法测试的数据,以及原材料的质谱数据.说明了材料中主要杂质的可能来源.因为GDMS测试可以非常清楚的了解材料所含杂质情况,并可以明确指导其它光学、电学测试结果分析的合理性.结果表明我们使用磷注入快速合成方法得到的磷化铟体材料的纯度非常高,经过退火完全具备制造非掺杂半绝缘磷化铟材料.进一步对退火前后的非掺杂InP样品的GDMS样品数据将可以更清楚的了解InP材料的半绝缘的形成机理.

著录项

来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|59-62|共4页
会议地点厦门
作者
陈秉克; 孙聂枫; 杨光耀; 谢德良; 刘二海; 周晓龙; 孙同年; 普朝光; 王良; 孙毅之;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.05;
关键词
半导体材料; 磷化铟; 辉光放电质谱测试; 杂质含量;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 高性能InP/InP、InGaAs/InP体材料LP-MOCVD生长 [J] . 刘宝林 . 厦门大学学报（自然科学版） . 1997,第004期
2. In0.53Ga0.47As/InP量子阱与体材料的1 MeV电子束辐照光致发光谱研究∗ [J] . 玛丽娅 ,李豫东 ,郭旗 . 物理学报 . 2015,第015期
3. 基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究 [J] . 王琪 ,张金龙 ,王立军 . 发光学报 . 2011,第012期
4. MOCVD生长InGaAs/InP体材料研究 [J] . 陈龙海 ,刘宝林 ,陈松岩 . 固体电子学研究与进展 . 1997,第3期
5. InP晶体材料中的杂质 [J] . 徐建成 ,马中凡 . 首都师范大学学报：自然科学版 . 1997,第S1期
6. InGaAsP/InP异质体材料光荥光图谱中的对称性多声子伴线 [C] . 丁国庆 . 全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议(OFCIO'99) . 1999
7. 富磷条件下生长的InP单晶体材料特性研究 [A] . 高海凤 . 2011

InP体材料的GDMS测试研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅