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Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on
召开年:
2000
召开地:
Williamsburg, VA
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
InP HBT and HEMT technology and applications
机译:
InP HBT和HEMT技术与应用
作者:
Oki A.K.
;
Streit D.C.
;
Lai R.
;
Gutierrez-Aitken A.
;
Chen Y.C.
;
Grundbacher R.
;
Grossman P.C.
;
Block T.
;
Chin P.
;
Barsky M.
;
Sawdai D.
;
Wojtowicz M.
;
Kaneshiro E.
;
Yen H.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
2.
An improved performance 62.7 GHz low power divide-by-16 InP-based HBT circuit
机译:
改进的性能62.7 GHz低功耗除以16 InP的HBT电路
作者:
Elliott
;
K.R.
;
Thomas
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
3.
Characterization of InP using metal-insulator-semiconductor-tunneling microscopy (MISTM)
机译:
使用金属-绝缘体-半导体隧道显微镜(MISTM)表征InP
作者:
Richter
;
S.
;
Garno
;
J.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
4.
Chemical etching of InGaAsP/InP using HBr-H/sub 3/PO/sub 4/-K/sub 2/Cr/sub 2/O/sub 7/ and its application to microlens array
机译:
HBr-H / sub 3 / PO / sub 4 / -K / sub 2 / Cr / sub 2 / O / sub 7 /的InGaAsP / InP化学刻蚀及其在微透镜阵列中的应用
作者:
Eun-Hyung Park
;
Young-Se Kwon
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
5.
Fabrication of monolithically integrated Mach-Zehnder asymmetric interferometer switch
机译:
单片集成Mach-Zehnder非对称干涉仪开关的制造
作者:
Liu
;
X.F.
;
Ke
;
M.L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
6.
High f/sub T/, high current gain InP/InGaAs:C HBT grown by LP-MOVPE with non-gaseous sources
机译:
LP-MOVPE用非气态源生长的高f / sub T /,高电流增益InP / InGaAs:C HBT
作者:
Kim
;
S.-O.
;
Velling
;
P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
7.
In/sub 0.49/Ga/sub 0.51//GaAs superlatticed resonant-tunneling transistor (SRTT)
机译:
In / sub 0.49 / Ga / sub 0.51 // GaAs超晶格谐振隧道晶体管(SRTT)
作者:
Shiou-Ying Cheng
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
8.
LP-MOVPE growth of DHBT structure with heavily Zn-doped base and suppressed outdiffusion
机译:
LP-MOVPE的DHBT结构的生长具有重度锌掺杂的碱并抑制了向外扩散
作者:
Gini
;
E.
;
Bauknecht
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
9.
Solution CBr/sub 4/: an improved MOVPE dopant source
机译:
解决方案CBr / sub 4 /:改进的MOVPE掺杂源
作者:
Rushworth
;
S.A.
;
Smith
;
L.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
10.
Thermal strain magnification for wide wavelength tunability of 1.55 /spl mu/m lasers
机译:
1.55 / spl mu / m激光器的宽波长可调性的热应变放大
作者:
Cohen
;
D.A.
;
Mason
;
B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
11.
High-efficiency 1.3 /spl mu/m Fabry-Perot laser diode based on hydrogenated passive spot-size converter
机译:
基于氢化无源光斑尺寸转换器的高效1.3 / spl mu / m Fabry-Perot激光二极管
作者:
Tregoat
;
D.
;
Barthe
;
F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
12.
An experimental and numerical study of the composition distribution of InGaAsP quaternary materials in a horizontal MOCVD reactor
机译:
水平MOCVD反应器中InGaAsP四元材料组成分布的实验和数值研究
作者:
Feron
;
O.
;
Sugiyama
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
13.
Application of self-assembled InAs nanodots for a HEMT-type memory-effect transistor
机译:
自组装InAs纳米点在HEMT型存储效应晶体管中的应用
作者:
Koike
;
K.
;
Li
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
14.
Conservation of low dark current of InGaAs photodiodes after NH/sub 3//HF etch with a BCB passivation layer
机译:
使用BCB钝化层在NH / sub 3 // HF蚀刻后保留InGaAs光电二极管的低暗电流
作者:
Schmidt
;
D.
;
Trommer
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
15.
Epilayer transfer for integration of III-V photodetectors onto a silicon platform using Au-Sn and Pd-Ge bonding
机译:
使用Au-Sn和Pd-Ge键将Epi-III转移到III-V光电探测器到硅平台的集成
作者:
Chen
;
T.D.
;
Spaziani
;
S.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
16.
GaAsSbN: a material for 1.3-1.55 /spl mu/m emission
机译:
GaAsSbN:一种用于1.3-1.55 / spl mu / m发射的材料
作者:
Ungaro
;
G.
;
Sagnes
;
L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
17.
Impact of a conducting interface layer on the characteristics of integrated InP photoreceivers
机译:
导电界面层对集成InP光接收器特性的影响
作者:
Schramm
;
C.
;
Mekonnen
;
G.G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
18.
Improving properties of GaInNAs with a short-period GaInAs/GaNAs superlattice
机译:
短周期GaInAs / GaNAs超晶格改善GaInNAs的性能
作者:
Hong
;
Y.G.
;
Xin
;
H.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
19.
Monolithic integration technology using InP-based HEMTs and a uni-traveling-carrier-photodiode for over 40 Gbit/s digital OEIC
机译:
使用基于InP的HEMT和单行进载波光电二极管的单片集成技术,可用于40 Gbps以上的数字OEIC
作者:
Kitabayashi
;
H.
;
Umeda
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
20.
A 0.5 watt-40 PAE InP double heterojunction bipolar transistor K-band MMIC power amplifier
机译:
0.5瓦特40%PAE InP双异质结双极晶体管K波段MMIC功率放大器
作者:
Kobayashi
;
K.W.
;
Oki
;
A.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
21.
A 53 GHz monolithically integrated InP/InGaAs PIN/HBT receiver OEIC with an electrical bandwidth of 63 GHz
机译:
53 GHz单片集成InP / InGaAs PIN / HBT接收器OEIC,电气带宽为63 GHz
作者:
Huber
;
D.
;
Bitter
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
22.
A comparison of channel indium content in low noise metamorphic HEMTs with In/sub x/Ga/sub 1-x/As (0.3>X/spl les/0.6)
机译:
具有In / sub x / Ga / sub 1-x / As(0.3> X / spl les / 0.6)的低噪声变质HEMT中通道铟含量的比较
作者:
Whelan
;
C.S.
;
Lardizabal
;
S.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
23.
A laterally etched collector InP/InGaAs(P) DHBT process for high speed power applications
机译:
用于高速功率应用的横向蚀刻集电极InP / InGaAs(P)DHBT工艺
作者:
Schnyder
;
I.
;
Rohner
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
24.
A modeling of an In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As multi-quantum wells structure using photocurrent spectroscopy
机译:
使用光电流光谱法对In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As多量子阱结构进行建模
作者:
Tanaka
;
K.
;
Murata
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
25.
A novel InAlAs/InGaAs layer structure for monolithically integrated photoreceiver
机译:
用于单片集成光接收器的新型InAlAs / InGaAs层结构
作者:
Hodel
;
U.
;
Orzati
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
26.
A study of the influence of the substrate and epilayers on the InP HEMT gate current
机译:
研究衬底和外延层对InP HEMT栅极电流的影响
作者:
Aupetit-Berthelemot
;
C.
;
Dubois
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
27.
Optical and structural properties of 1.3 /spl mu/m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by LP-MOVPE as a function of the re-growth temperature
机译:
LP-MOVPE生长的1.3 In / splμm/ m发射InAs / GaAs量子点的光学和结构性质与再生长温度的函数
作者:
Saint-Girons
;
G.
;
Mereuta
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
28.
Photoluminescence and electron transport properties of silicon-doped Ga/sub 0.52/In/sub 0.48/P/GaAs grown using a valved phosphorus cracker cell in solid source molecular beam epitaxy
机译:
固体源分子束外延生长的带阀磷裂化电池生长的硅掺杂Ga / sub 0.52 / In / sub 0.48 / P / GaAs的光致发光和电子传输性质
作者:
Yoon
;
S.F.
;
Mah
;
K.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
29.
Pseudomorphic In/sub 0.7/Ga/sub 0.3/As/In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As HEMTs with super-flat interfaces fabricated on 411 A-oriented InP substrates
机译:
在411 A取向InP衬底上制造的具有超平坦界面的伪形In / sub 0.7 / Ga / sub 0.3 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As HEMT
作者:
Higashiwaki
;
M.
;
Kitada
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
30.
X-ray characterization of bulk InP:S crystals crown by LEC in a low thermal gradient
机译:
低热梯度下LEC对块状InP:S晶体的X射线表征
作者:
Bliss
;
D.F.
;
Bryant
;
G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
31.
An 11-stage ring oscillator with nonlinear negative feedback for high speed digital applications
机译:
具有非线性负反馈的11级环形振荡器,适用于高速数字应用
作者:
Brennemann
;
A.
;
Bushehri
;
E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
32.
An inverted delta-doped V-shaped InGaP/In/sub x/Ga/sub 1-x/As pseudomorphic high electron mobility transistor
机译:
倒三角掺杂的V型InGaP / In / sub / x / Ga / sub-x / As伪形高电子迁移率晶体管
作者:
Yu
;
K.H.
;
Liu
;
W.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
33.
Analysis of high current effects on the performance of pnp InP-based heterojunction bipolar transistors
机译:
高电流对pnp InP基异质结双极晶体管性能的影响分析
作者:
Datta
;
S.
;
Roenker
;
K.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
34.
Base current transient behavior in polyimide-passivated InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors
机译:
聚酰亚胺钝化的InP / InGaAs异质结双极晶体管中的基极电流瞬态行为
作者:
Hong Wang
;
Geok Ing Ng
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
35.
Blue shift of multiple quantum wells induced by n-InP/p-InP/MQW structure
机译:
n-InP / p-InP / MQW结构诱导的多个量子阱的蓝移
作者:
Arakawa
;
S.
;
Itoh
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
36.
C/sub BC/ reduction in GaInAs/InP buried metal heterojunction bipolar transistor
机译:
C / sub BC / GaInAs / InP埋入金属异质结双极晶体管的减少
作者:
Arai
;
T.
;
Harada
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
37.
Carrier transport in partially relaxed In/sub 0.75/Ga/sub 0.25/As/InP high electron mobility structures
机译:
载流子在部分弛豫的In / sub 0.75 / Ga / sub 0.25 / As / InP高电子迁移率结构中
作者:
Sandhu
;
R.
;
Hsing
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
38.
CH/sub 4//H/sub 2/ inductively coupled plasma (ICP) etching for high performance GaInAsP buried heterostructure lasers
机译:
CH / sub 4 // H / sub 2 /电感耦合等离子体(ICP)蚀刻,用于高性能GaInAsP埋藏异质结构激光器
作者:
Kurobe
;
T.
;
Mukaihara
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
39.
Characterization of low temperature transport properties in InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors
机译:
InP / InGaAs双异质结双极晶体管中的低温传输特性的表征
作者:
Hong Wang
;
Geok Ing Ng
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
40.
Charge control and electron transport properties in In/sub y/Al/sub 1-y/As/In/sub x/Ga/sub 1-x/As metamorphic HEMTs: effect of indium content
机译:
In / sub y / Al / sub 1-y / As / In / sub x / Ga / sub 1-x / As变质HEMT中的电荷控制和电子传输性质:铟含量的影响
作者:
Cordier
;
Y.
;
Zaknoune
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
41.
Continuous-wave operation of GaInNAs/GaAs lasers grown by chemical beam epitaxy
机译:
化学束外延生长的GaInNAs / GaAs激光器的连续波操作
作者:
Kageyama
;
T.
;
Miyamoto
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
42.
DC and microwave characteristics of metamorphic InP/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As heterojunction bipolar transistors grown on GaAs substrates
机译:
在GaAs衬底上生长的变质InP / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As异质结双极晶体管的直流和微波特性
作者:
Hong Wang
;
Geok Ing Ng
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
43.
DC and RF characterization of different heterojunction interband tunneling diodes
机译:
不同异质结带内隧穿二极管的直流和射频特性
作者:
El-Zein
;
N.
;
Deshpande
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
44.
Degradation of the device characteristics of InGaAs/InP heterostructures after oxygen treatments
机译:
氧处理后InGaAs / InP异质结构的器件性能下降
作者:
Driad
;
R.
;
McKinnon
;
W.R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
45.
Design and characterization of 200-mW-class distributed feedback lasers at 1.55 /spl mu/m
机译:
200 mW级1.55 / spl mu / m的分布式反馈激光器的设计和特性
作者:
Sugg
;
A.R.
;
Abeles
;
J.H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
46.
Drain current transients in InP-HFETs: equivalent circuit
机译:
InP-HFET中的漏极电流瞬变:等效电路
作者:
Gautier-Levine A.
;
Chevalier S.
;
Post G.
;
Scavennec A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
47.
Dynamic scaling of plasma etched InP surface
机译:
等离子体蚀刻的InP表面的动态缩放
作者:
Silova M.
;
Bruls D.M.
;
Silov A.Yu.
;
Roy B.H.V.
;
Smalbrugge E.
;
Karouta F.
;
Koenraad P.M.
;
Wolter J.H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
48.
Effect of p-doping on the performance of high power 1.5-/spl mu/m InGaAsP MQW lasers
机译:
p掺杂对高功率1.5- / splμm/ m InGaAsP MQW激光器性能的影响
作者:
Menna
;
R.
;
Shterengas
;
L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
49.
Electron coupling in InGaAs/GaAs quantum dot-pairs fabricated with InP island stressors
机译:
InP岛应力源制造的InGaAs / GaAs量子点对中的电子耦合
作者:
Hong-Wen Ren
;
Masumoto
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
50.
Excess gate leakage at low voltage in InP-based HEMTs
机译:
基于InP的HEMT中低电压时栅极过多泄漏
作者:
Maher H.
;
Scavennec A.
;
Dccobert J.
;
Post G.
;
Zerounian N.
;
Cavassilas N.
;
Aniel F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
51.
Extremely low crosstalk characteristic of semiconductor optical ADM device with deep grating
机译:
具有深光栅的半导体光学ADM器件的串扰特性极低
作者:
Horita
;
M.
;
Yazaki
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
52.
Future photonic networks and the role of InP-based devices
机译:
未来的光子网络和基于InP的设备的作用
作者:
Yoshimura H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
53.
GaAs metamorphic HEMT (MHEMT): an attractive alternative to InP HEMTs for high performance low noise and power applications
机译:
GaAs变质HEMT(MHEMT):InP HEMT的有吸引力的替代品,用于高性能,低噪声和低功耗应用
作者:
Whelan
;
C.S.
;
Marsh
;
P.F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
54.
GaInAsN/AlGaAs distributed feedback laserdiodes at 1.3 /spl mu/m
机译:
GaInAsN / AlGaAs分布式反馈激光二极管1.3 / spl mu / m
作者:
Reinhardt
;
M.
;
Fischer
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
55.
GaInNAs/GaAs multiple quantum-wells (MQWs) for 1.3 /spl mu/m laser applications
机译:
适用于1.3 / spl mu / m激光应用的GaInNAs / GaAs多量子阱(MQW)
作者:
Illek
;
S.
;
Borchert
;
B.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
56.
Growth and characterization of InAsN alloys
机译:
InAsN合金的生长和表征
作者:
Jyh-Shyang Wang
;
Hao-Hsiung Lin
;
Li-Wei Sung
;
Guan-Ru Chen
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
57.
Growth over grating in 1.5 /spl mu/m DFB lasers
机译:
1.5 / splμ/ m DFB激光器中光栅上的生长
作者:
Ford
;
G.M.
;
Ebert
;
C.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
58.
HBT MMIC 75 GHz and 78 GHz power amplifiers
机译:
HBT MMIC 75 GHz和78 GHz功率放大器
作者:
Guthrie J.R.
;
Urteaga M.
;
Scott D.
;
Mensa D.
;
Mathew T.
;
Lee Q.
;
Krishnan S.
;
Jaganathan S.
;
Betser Y.
;
Rodwell M.J.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
59.
High compositional uniformity and reproducibility of InGaAsP in multi-wafer metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
多晶片金属有机气相外延中InGaAsP的高成分均匀性和重现性
作者:
Hara
;
S.
;
Fujii
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
60.
High f/sub T/ 50-nm-gate lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMTs
机译:
高f / sub T / 50-nm栅极晶格匹配的InAlAs / InGaAs HEMT
作者:
Endoh
;
A.
;
Yamashita
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
61.
High performance MMICs with submillimeter wave InP-based HEMTs
机译:
具有基于毫米波InP的HEMT的高性能MMIC
作者:
Pobanz C.
;
Matloubian M.
;
Radisic V.
;
Raghavan G.
;
Case M.
;
Micovic M.
;
Hu M.
;
Nguyen C.
;
Weinreb S.
;
Samoska L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
62.
High performance quantum cascade lasers for the /spl lambda/=4 to 17 /spl mu/m region and their chemical sensing applications
机译:
用于/ spl lambda / = 4至17 / spl mu / m区域的高性能量子级联激光器及其化学传感应用
作者:
Capasso
;
F.
;
Gmachi
;
C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
63.
High performance strained and DH Ga/sub 1-x/In/sub x/P/In/sub 0.2/Ga/sub 0.8/As/GaAs HEMTs grown by solid-source MBE using valved cracker cells
机译:
固体源MBE使用带阀裂口池生长的高性能应变和DH Ga / sub 1-x / In / sub x / P / In / sub 0.2 / Ga / sub 0.8 / As / GaAs HEMT
作者:
Yoon
;
S.F.
;
Gay
;
B.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
64.
High power performance using InAlAas/InGaAs single heterojunction bipolar transistors
机译:
使用InAlAas / InGaAs单异质结双极晶体管的高功率性能
作者:
Cui
;
D.
;
Sawdai
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
65.
High quality fully relaxed In/sub 0.65/Ga/sub 0.35/As layers grown on InP using seed membranes
机译:
使用种子膜在InP上生长的高质量,完全松弛的In / sub 0.65 / Ga / sub 0.35 / As层
作者:
Damlencourt
;
J.F.
;
Boudaa
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
66.
High speed InP/InGaAs uni-traveling-carrier photodiodes
机译:
高速InP / InGaAs单行进载流光电二极管
作者:
Shimizu N.
;
Muramoto Y.
;
Miyamoto Y.
;
Ishibashi T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
67.
Highly gain-saturated GaInAsP/InP SOA modulator for incoherent spectrum-sliced light source
机译:
高增益饱和GaInAsP / InP SOA调制器,用于非相干光谱切片光源
作者:
Koyama
;
F.
;
Yamatoya
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
68.
Highly uniform 1.55 /spl mu/m wavelength lasers with deeply etched semiconductor/benzocyclobutene DBR
机译:
具有深度蚀刻的半导体/苯并环丁烯DBR的高度均匀的1.55 / splμ/ m波长激光器
作者:
Raj
;
M.M.
;
Wiedmann
;
J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
69.
High-speed kink-free InAlAs/InGaAs/InP field-effect transistors
机译:
高速免扭InAlAs / InGaAs / InP场效应晶体管
作者:
Brar B.
;
Morris F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
70.
Hole impact ionization coefficient in 100-oriented In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As based on pnp InAlAs/InGaAs HBTs
机译:
基于pnp InAlAs / InGaAs HBT的100取向In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As中的空穴冲击电离系数
作者:
Buttari
;
D.
;
Chini
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
71.
Hydrogen passivation in InP:Zn resulting from reactive ion etching during laser stripe formation
机译:
激光条纹形成过程中反应性离子刻蚀导致的InP:Zn氢钝化
作者:
Kreissl
;
J.
;
Moehrle
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
72.
Identification and removal of deep levels in InGaP/GaAs heterostructures grown by TBP-based GSMBE
机译:
识别和去除基于TBP的GSMBE所生长的InGaP / GaAs异质结构中的深能级
作者:
Fujikura
;
H.
;
Hirama
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
73.
III-V materials integration technologies: wafer bonding approaches
机译:
III-V材料集成技术:晶圆键合方法
作者:
Gosele U.
;
Tong Q.-Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
74.
Improved phosphorus injection synthesis for bulk indium phosphide
机译:
本体磷化磷的改进磷注入合成
作者:
Higgins W.M.
;
Iseler G.W.
;
Bliss D.F.
;
Bryant G.
;
Tassev V.
;
Jafri I.
;
Ware R.M.
;
Carlson D.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
75.
InP and InAlP self-assembled quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过金属有机化学气相沉积法生长的InP和InAlP自组装量子点
作者:
Ryou
;
J.-H.
;
Dupuis
;
R.D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
76.
InP-based and metamorphic devices for multifunctional MMICs in mm-wave communication systems
机译:
毫米波通信系统中用于多功能MMIC的基于InP的变形设备
作者:
Ziegler
;
V.
;
Gassler
;
C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
77.
InP-based PIC for an optical phased array antenna at 1.06 /spl mu/m
机译:
用于光相控阵天线的基于InP的PIC,速度为1.06 / spl mu / m
作者:
Flamand
;
G.
;
de Mesel
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
78.
Integrated differential photoreceiver for 40 Gbit/s systems
机译:
适用于40 Gbit / s系统的集成差分光接收器
作者:
Umbach A.
;
Unterborsch G.
;
Trommer D.
;
Schramm C.
;
Mekonnen G.G.
;
Weiske C.-J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
79.
Integrated multiple sensor controlled molecular beam epitaxy for high performance electronic devices
机译:
集成多传感器控制的分子束外延技术,用于高性能电子设备
作者:
Chow
;
D.H.
;
Roth
;
J.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
80.
Integrated photonics using asymmetric twin-waveguide structures
机译:
使用非对称双波导结构的集成光子学
作者:
Forrest S.R.
;
Gokhale M.R.
;
Studenkov P.V.
;
Fengnian Xia
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
81.
Integration of 2D photonic crystals in InP laserdiodes
机译:
InP激光二极管中的2D光子晶体集成
作者:
Werner R.
;
Kuhn S.
;
Kamp M.
;
Reithmaier J.P.
;
Forchel A.
;
Soderstrom D.
;
Lourdudoss S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
82.
Interdiffusion effects at long-range ordered Ga/sub 0.5/In/sub 0.5/P and GaAs heterointerfaces
机译:
远距离Ga / sub 0.5 / In / sub 0.5 / P和GaAs异质界面的互扩散效应
作者:
Yamashita
;
K.
;
Kita
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
83.
Investigation of p-n junction and dopant profiles in InP-based laser by low voltage SEM
机译:
低压SEM研究InP基激光器中的p-n结和掺杂物分布
作者:
Dong-Ning Wang
;
Venables
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
84.
Lateral design of InP/InGaAs DHBTs for 40 GBIT/s ICs
机译:
用于40 GBIT / s IC的InP / InGaAs DHBT的横向设计
作者:
Blayac S.
;
Riet M.
;
Benchimol J.L.
;
Berdaguer P.
;
Kauffman N.
;
Godin J.
;
Scavennec A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
85.
Long wavelength GaInAsP/InP laser with automatically formed tunneling aperture
机译:
长波长GaInAsP / InP激光器具有自动形成的隧道孔径
作者:
Sekiguchi
;
S.
;
Miyamoto
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
86.
Long wavelength InGa(N)As/GaAs QW laser structures grown by MOVPE
机译:
MOVPE生长的长波长InGa(N)As / GaAs QW激光结构
作者:
Mereuta A.
;
Bouchoule S.
;
Sagnes I.
;
Alexandre F.
;
Le Roux G.
;
Decobert J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
87.
Low frequency noise in AlInAs/InGaAs/InP HFETs
机译:
AlInAs / InGaAs / InP HFET中的低频噪声
作者:
Sakalas P.
;
Nawaz K.
;
Zirath H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
88.
Low-frequency noise in AlSb/InAs and AlSb/InAsSb HEMTs
机译:
AlSb / InAs和AlSb / InAsSb HEMT中的低频噪声
作者:
Kruppa W.
;
Boos J.B.
;
Bennett B.R.
;
Yang M.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
89.
Low-threshold and high-temperature characteristics of 1.3-/spl mu/m InGaAlAs MQW lasers grown by metalorganic vapor-phase epitaxy
机译:
金属有机气相外延生长的1.3- / splμm/ m InGaAlAs MQW激光器的低阈值和高温特性
作者:
Tsuchiya
;
T.
;
Takemoto
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
90.
Manufacturing issues for large semi-insulating indium phosphide substrates
机译:
大型半绝缘磷化铟基板的制造问题
作者:
Ware
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
91.
MBE growth conditions for 1.3 /spl mu/m light emission from InAs quantum dots
机译:
用于InAs量子点的1.3 / spl mu / m发光的MBE生长条件
作者:
Lipinski
;
M.O.
;
Jin-Phillipp
;
N.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
92.
Metamorphic HEMT 0.5 /spl mu/m low cost high performance process on 4' GaAs substrates
机译:
在4“ GaAs衬底上的变质HEMT 0.5 / spl mu / m低成本高性能工艺
作者:
Benkhelifa
;
F.
;
Chertouk
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
93.
Metamorphic InP/InGaAs double-heterojunction bipolar transistor structure grown on GaAs by solid source molecular beam epitaxy
机译:
固体源分子束外延在GaAs上生长的变质InP / InGaAs双异质结双极晶体管结构
作者:
Haiqun Zheng
;
Radhakrishnan
;
K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
94.
Monolithic PIN-HEMT photoreceiver integration
机译:
单片PIN-HEMT光接收器集成
作者:
Rondeau G.
;
Biblemont S.
;
Decobert J.
;
Post G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
95.
Monolithically integrated fabrication of 2/spl times/2 and 4/spl times/4 crosspoint switches using quantum well intermixing
机译:
使用量子阱混合,单片集成制造2 / spl次/ 2和4 / spl次/ 4交叉点开关
作者:
Qiu
;
B.C.
;
Ke
;
M.L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
96.
MOVPE growth of strained 1300 nm InGaAlAsP/InGaAsP quantum well structures
机译:
应变1300 nm InGaAlAsP / InGaAsP量子阱结构的MOVPE生长
作者:
Campi
;
R.
;
Patel
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
97.
Multi 6 inch technology for GaAs, GaInP and AlGaInP compounds
机译:
用于GaAs,GaInP和AlGaInP化合物的多6英寸技术
作者:
Schmitt T.
;
Deufel M.
;
Strauch G.
;
Schineller B.
;
Heuken N.
;
Juergensen H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
98.
Nanoscale oxidation of InAs and its device applications
机译:
InAs的纳米级氧化及其装置应用
作者:
Sasa S.
;
Ohya A.
;
Yodogawa M.
;
Inoue M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
99.
Negative differential resistance of InGaAs quantum wire FET
机译:
InGaAs量子线FET的负差分电阻
作者:
Sugaya T.
;
Kim S.J.
;
Sugiyama Y.
;
Ogura M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
100.
'On-wafer' surface implanted high power, picosecond pulse InGaAs/InP (/spl lambda/-1.53-1.55 /spl mu/m) laser diodes
机译:
“晶圆上”表面植入大功率皮秒脉冲InGaAs / InP(/ spl lambda / -1.53-1.55 / spl mu / m)激光二极管
作者:
Paraskevopoulos
;
A.
;
Hensel
;
H.-J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
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2000年
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