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Si(111)衬底上3C-SiC外延层中静力学应力性质的研究

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本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积(LPCVD)生长系统,以SiH<,4>和C<,2>H<,4>为气源,在相同的SiH<,4>和C<,2>H<,4>的流量和超低压(30Pa),在三种不同的反应温度(900□,950□,1000□),在Si(111)衬底上外延生长出的.拉曼散射结果揭示了3C-SiC外延层中的静力学应力是张应力,其大小分别为7.1×10<'9>dyn/cm<'2>,4.5×10<'9>dyn/cm<'2>.随着生长温度的提高,张应力明显减小,所获SiC样品的Raman散射谱中出现的TO、LO峰强度不断增大,可以认为生长温度的提高有利于获得高质量的SiC薄膜.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|163-166|共4页
会议地点厦门
作者
孙澜; 韩平; 叶强; 朱顺明; 郑有炓; 李健; 史君; 周坤;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.24;TN304.054.4;
关键词
碳化硅; 外延生长; 化学气相淀积; 拉曼散射; 半导体材料; 应力学性质;

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