6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究

林涛; 李青民; 李连碧; 杨莺; 陈治明

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以SiH4和C3H8为反应源,在1250℃下,采用低压热壁化学气相淀积法在6H-SiC衬底上异质外延生长了3C-SiC薄膜.扫描电镜和原子力显微镜测试结果显示,样品表面光滑、无明显岛状结构物质.剖面透射电镜照片显示SiC外延层致密均匀、界面平整,厚度约为50nm.高分辨透射电镜结果显示,衬底与外延层分别为排列整齐的6H-SiC结构和3C-SiC结构,两者过渡平坦、界面处无其他晶型.选区电子衍射花样标定结果再次说明外延薄膜为闪锌矿结构的3C-SiC,计算的晶格常数为0·4362nm.

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来源
《半导体学报》 |2008年第5期|936-939|共4页
作者
林涛; 李青民; 李连碧; 杨莺; 陈治明;
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作者单位

西安理工大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
碳化硅; 化学气相沉积; 异质外延; 透射电子显微镜;

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