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Silicon carbide and related materials 2012
Silicon carbide and related materials 2012
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1.
Process Tolerant Single Photolithography/Implantation 120-Zone Junction Termination Extension
机译:
耐工艺性单光刻/注入120区结终止扩展
作者:
V. Veliadis
;
M. Snook
;
H. Hearne
;
B. Nechay
;
S. Woodruff
;
C. Lavoie
;
C. Kirby
;
E. Imhoff
;
J. White
;
S. Davis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Junction termination extension;
JTE;
multiple-zone JTE;
edge termination;
single implant;
single photolithography;
blocking voltage;
high voltage;
diode;
silicon carbide;
SiC;
PiN;
2.
Modeling of the impact of parameter spread on the switching performance of parallel-connected SiC VJFETs
机译:
参数扩展对并联SiC VJFET的开关性能影响的建模
作者:
Jang-Kwon Lim
;
Dimosthenis Peftitsis
;
Jacek Rabkowski
;
Mietek Bakowski
;
Hans-Peter Nee
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
VJFET (Vertical Junction Field Effect Transistor);
parallel connection;
Medici;
3.
Real-time observation of high temperature interface between SiC substrate and solution during dissolution of SiC
机译:
SiC溶解过程中SiC衬底与溶液之间高温界面的实时观察
作者:
Sakiko Kawanishi
;
Takeshi Yoshikawa
;
Kazuki Morita
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Real-time observation;
high temperature interface;
4H-SiC;
melt-back;
solution growth;
Fe-Si solvent;
4.
High-Speed Growth of 4H-SiC Single Crystal Using Si-Cr Based Melt
机译:
基于Si-Cr基熔体的4H-SiC单晶高速生长
作者:
M.Kado
;
H.Daikoku
;
H.Sakamoto
;
H.Suzuki
;
T.Bessho
;
N.Yashiro
;
K.Kusunoki
;
N.Okada
;
K.Moriguchi
;
K.Kamei
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Solution growth;
Bulk growth;
4H-SiC;
Growth rate;
5.
Lateral boron distribution in polycrystalline SiC source materials
机译:
多晶SiC源材料中的横向硼分布
作者:
M.K. Linnarsson
;
M. Kaiser
;
R. Liljedahl
;
V. Jokubavicius
;
Y. Ou
;
P. Wellmann
;
H. Ou
;
M. Syvaejaervi
会议名称:
《》
|
2012年
关键词:
Boron;
Dopant Distribution;
SIMS;
6.
Point defects in SiC as a promising basis for single-defect, single-photon spectroscopy with room temperature controllable quantum states
机译:
SiC中的点缺陷是具有室温可控量子态的单缺陷单光子光谱的有前途的基础
作者:
Pavel G. Baranov
;
Victor A. Soltamov
;
Alexandra A.Soltamova
;
Georgy V. Astakhov
;
Vladimir V. Dyakonov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon carbide;
silicon vacancy related defects;
optically induced inverse population;
room temperature spin alignment;
spintronics;
quantum information;
magnetometry;
7.
Study of the Nucleation of p-doped SiC in Selective Epitaxial Growth using VLS Transport
机译:
利用VLS传输研究外延选择性生长中p掺杂SiC的形核
作者:
D. Carole
;
A. Vo-Ha
;
A. Thomas
;
M. Lazar
;
N.Thierry-Jebali
;
D. Tournier
;
F. Cauwet
;
V. Souliere
;
C. Brylinski
;
P. Brosselard
;
D. Planson
;
G. Ferro
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
VLS crystal growth;
Selective epitaxy;
p-type doping;
Aluminum doping;
8.
Morphology optimization of very thick 4H-SiC epitaxial layers
机译:
非常厚的4H-SiC外延层的形貌优化
作者:
Milan Yazdanfar
;
Pontus Stenberg
;
Ian. D. Booker
;
Ivan.G.lvanov
;
Henrik Pedersen
;
Olof Kordina
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
CVD;
Chloride-based;
Thick epitaxial layer;
Morphology;
9.
Temperature dependence of Raman scattering in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中拉曼散射的温度依赖性
作者:
Hua Yang Sun
;
Siou-Cheng Lien
;
Zhi Ren Qiu
;
Zhe Chuan Feng
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
Raman scattering;
temperature dependence;
longitudinal optical-plasma coupling (LOPC);
10.
Radiation defects produced in 4H-SiC epilayers by proton and alpha-particle irradiation
机译:
质子和α粒子辐照在4H-SiC外延层中产生的辐照缺陷
作者:
Pavel Hazdra
;
Vit Zahlava
;
Jan Vobecky
;
Maxime Berthou
;
Andrei Mihaila
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
radiation defects;
protons;
alpha-particles;
11.
15 kV, Large Area (1 cm2), 4H-SiC p-Type Gate Turn-Off Thyristors
机译:
15 kV,大面积(1 cm2),4H-SiC p型栅极关断晶闸管
作者:
Lin Cheng
;
Anant K. Agarwal
;
Craig Capell
;
Michael OLoughlin
;
Khiem Lam
;
Jon Zhang
;
Jim Richmond
;
Al Burk
;
John W. Palmour
;
Aderinto A. Ogunniyi
;
Heather K. OBrien
;
Charles J. Scozzie
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
gate turn-off thyristor;
GTO;
high voltage;
silicon carbide;
carrier lifetime;
high injection-current;
high temperature;
12.
Complex study of SiC epitaxial films
机译:
SiC外延膜的复杂研究
作者:
Geyfman E.M.
;
Chibirkin V.V.
;
Kamentsev G.Yu.
;
Gartsev N.A.
;
Davydova N.M.
;
Surin B.P.
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
4H polytype;
epitaxial layer;
epitaxial film thickness;
Fourier transform infrared spectroscopy;
FTIR;
CV measurements;
donor concentration;
profiler;
roughness;
X-ray diffraction;
XRD;
rocking curve;
ZAO NPK «Electrovypriamitel»;
ZAO «NPK «Elkar»;
13.
Effect of Interfacial Localization of Phosphorus on Electrical Properties and Reliability of 4H-SiC MOS Devices
机译:
磷的界面局部化对4H-SiC MOS器件电学性能和可靠性的影响
作者:
Tsuyoshi Akagi
;
Hiroshi Yano
;
Tomoaki Hatayama
;
Takashi Fuyuki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
MOS;
POCl_3-treatment;
interface state density;
reliability;
phosphorus;
14.
Comparative study on dry etching of a- and (5-SiC nano-pillars
机译:
a-和(5-SiC)纳米柱干法刻蚀的比较研究
作者:
J. H. Choi
;
L. Latu-Romain
;
E. Bano
;
A. Henry
;
W. J. Lee
;
T. Chevolleau
;
T. Baron
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Nanopillars;
Dry etching;
SiC polytypes;
15.
Development of SiC super-junction (SJ) device by deep trench-filling epitaxial growth
机译:
通过深沟槽填充外延生长开发SiC超结(SJ)器件
作者:
Rvoii Kosuqi
;
Yuuki Sakuma
;
Kazutoshi Kojima
;
Sachiko ltoh
;
Akiyo Nagata
;
Tsutomu Yatsuo
;
Yasunori Tanaka
;
Hajime Okumura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Super-junction;
SJ;
Trench;
Trench-filling;
Epitaxial growth;
Scanning Spreading Resistance Microscopy;
SSRM;
Device simulation;
TCAD;
16.
Development of High-Voltage 4H-SiC PiN Diodes on 4° and 8° Off-Axis Substrates
机译:
在4°和8°离轴衬底上开发高压4H-SiC PiN二极管
作者:
Dai Okamoto
;
Yasunori Tanaka
;
Norio Matsumoto
;
Makoto Mizukami
;
Chiharu Ota
;
Kazuto Takao
;
Kenji Fukuda
;
Hajime Okumura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
PiN diode;
high voltage;
forward voltage drop;
forward voltage degradation;
17.
ICP etching of 4H-SiC substrates
机译:
ICP蚀刻4H-SiC基板
作者:
Jerome Biscarrat
;
Jean-Frangois Michaud
;
Emmanuel Collard
;
Daniel Alquier
会议名称:
《》
|
2012年
关键词:
Silicon carbide;
inductively coupled plasma etching;
trenching;
18.
X-ray diffraction and Raman spectroscopy study of strain in graphene films grown on 6H-SiC(0001) using propane-hydrogen-argon CVD
机译:
丙烷-氢-氩CVD法在6H-SiC(0001)上生长的石墨烯薄膜的X射线衍射和拉曼光谱研究
作者:
Adrien Michon
;
Ludovic Largeau
;
Antoine Tiberj
;
Jean-Roch Huntzinger
;
Olivia Mauguin
;
Stephane Vezian
;
Denis Lefebvre
;
Fabien Cheynis
;
Frederic Leroy
;
Pierre Mueller
;
Thierry Chassagne
;
Marcin Zielinski
;
Marc Portail
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
graphene;
SiC;
strain;
CVD;
propane;
hydrogen;
19.
High-rate rotated epitaxy of 3C-SiC(111) on Si(110) substrate for qualified epitaxial graphene on silicon
机译:
Si(110)衬底上3C-SiC(111)的高速率旋转外延,用于硅上合格的外延石墨烯
作者:
Maki Suemitsu
;
Shota Sanbonsuge
;
Eiji Saito
;
Myung-Ho Jung
;
Hirokazu Fukidome
;
Sergey Filimonov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Graphene;
Silicon;
Epitaxy;
Monomethylsilane;
20.
Growth of 4H-SiC in Current-Controlled Liquid Phase Epitaxy
机译:
电流控制液相外延中4H-SiC的生长
作者:
Takeshi Mitani
;
Masayuki Okamura
;
Tetsuo Takahashi
;
Naoyoshi Komatsu
;
Tomohisa Kato
;
Hajime Okumura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Solution growth;
current-controlled LPE;
LPEE;
electromigration;
Joule heating;
21.
Dislocation analysis of 4H- and 6H-SiC single crystals using micro-Raman spectroscopy
机译:
显微拉曼光谱分析4H和6H-SiC单晶的位错
作者:
Y. J. Shin
;
W. J. Kim
;
H. -Y. Kim
;
W. Bahng
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
TSD;
micro-Raman spectroscopy;
on-axis;
4H-SiC;
6H-SiC;
22.
Effect of interface native oxide layer on the properties of annealed Ni/SiC contacts
机译:
界面自然氧化物层对退火Ni / SiC触头性能的影响
作者:
Wei Huang
;
Shao-Hui Chang
;
Xue-Chao Liu
;
Zheng-Zheng Li
;
Tian-Yu Zhou
;
Yan-Qing Zheng
;
Jian-Hua Yang
;
Er-Wei Shi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon Carbide;
Native oxide;
Ohmic contact;
Schottky contact;
23.
A nanoscale look in the channel of 4H-SiC lateral MOSFETs
机译:
4H-SiC横向MOSFET沟道的纳米级外观
作者:
Patrick Fiorenza
;
Alessia Frazzetto
;
Lukas K. Swanson
;
Filippo Giannazzo
;
Fabrizio Roccaforte
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
SiO_2;
Post-Oxidadion Annealing;
Scanning Probe Microscopy;
Scanning Capacitance Microscopy;
24.
Effect of damage removal treatment after trench etching on the reliability of trench MOSFET
机译:
沟槽刻蚀后的损伤去除处理对沟槽MOSFET可靠性的影响
作者:
S. Mivahara
;
H. Watanabe
;
T. Yamamoto
;
K. Tsuruta
;
S. Onda
;
N. Soejima
;
Y. Watanabe
;
J. Morimoto
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
MOSFET;
Trench;
Sidewall;
Chemical Dry Etching (CDE);
TDDB;
Reliability;
TDDB;
25.
Large-Area Mapping of Dislocations in 4H-SiC from Carbon-Face (000-1) by Using Vaporized KOH Etching near 1000 ℃
机译:
在1000℃附近使用汽化KOH蚀刻对碳表面(000-1)中4H-SiC中的位错进行大面积映射
作者:
Yong-Zhao Yao
;
Yukari lshikawa
;
Koji Sato Yoshihiro Sugawara
;
Katsunori Danno
;
Hiroshi Suzuki
;
Takeshi Bessho
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
chemical etching;
defect-selective;
dislocation;
vaporized KOH;
carbon-face (000-1);
activation energy;
26.
Contact-free micropipe reactions in silicon carbide
机译:
碳化硅中的非接触式微管反应
作者:
A.G. Sheinerman
;
M.Yu. Gutkin
;
T.S. Argunova
;
E.N. Mokhov
;
S.N. Nagalyuk
;
J.H. Je
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
bulk crystal;
defects;
micropipes;
27.
Subsurface atomic structure of 4H-SiC (0001) finished by plasma-assisted polishing
机译:
等离子体辅助抛光完成的4H-SiC(0001)表面亚原子结构
作者:
Hui Deng
;
Kazuya Yamamura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Atmospheric Pressure Plasma;
Oxidation;
Cross sectional TEM;
4H-SiC;
28.
Absence of back stress effect in the PVT growth of 6H silicon carbide
机译:
在6H碳化硅的PVT生长中没有背应力效应
作者:
Martin Seiss
;
Thierry Ouisse
;
Didier Chaussende
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
spiral growth;
growth rate;
BCF theory;
PVT;
back stress effect;
29.
The Study of the Geometry and Growth Trend of Silicon Carbide Crystals
机译:
碳化硅晶体的几何形状和生长趋势的研究
作者:
F. J. Fong
;
W. Y. Chen
;
S. Tsao
;
T.C. Hsao
;
C.F. Huang
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon carbide;
electron beam furnace;
polytypes;
30.
Bulk 3C-SiC Crystal by Top Seeded Solution Growth Method
机译:
顶晶溶液生长法制备3C-SiC块状晶体
作者:
Kazuaki Seki
;
Shunta Harada
;
Toru Ujihara
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
bulk crystal;
solution growth;
polytype control;
double positioning boundary;
31.
Effect of a Gas Pressure on the Growth Rate of AIN Layer
机译:
气压对AIN层生长速率的影响
作者:
E. N. Mokhov
;
A. A. Wolfson
;
O.P. Kazarova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
AIN;
growth rate;
gas pressure;
32.
Simulation of gas-phase chemistry for selected carbon precursors in epitaxial growth of SiC
机译:
SiC外延生长中选定碳前驱体的气相化学模拟
作者:
Orjan Danielsson
;
Pitsiri Sukkaew
;
Milan Yazdanfar
;
Olof Kordina
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Epitaxial growth;
Chemical Vapor Deposition;
Modeling;
Simulation;
Gas-phase chemistry;
Hydrocarbons;
33.
Aluminum implantation in 4H-SiC: physical and electrical properties
机译:
4H-SiC中的铝注入:物理和电学性质
作者:
J.F. Michaud
;
X. Song
;
J. Biscarrat
;
F. Cayrel
;
E. Collard
;
D. Alquier
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
aluminum implantation;
specific contact resistance;
scanning spreading resistance microscopy;
34.
A New-Type of Defect Generation at a4H-SiC/SiO_2 interface by Oxidation Induced Compressive Strain
机译:
氧化诱导压缩应变在a4H-SiC / SiO_2界面上产生新型缺陷
作者:
Kenta Chokawa
;
Shigenori Kato
;
Katsumasa Kamiya
;
Kenji Shiraishi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
Interface;
Oxidation;
Density functioal theory (DFT);
Defect structure;
Carbon-Carbon bond;
35.
The influence of post-oxidation annealing process in O_2 and N_2O on the quality of AI/SiO_2-type 4H-SiC MOS interface
机译:
O_2和N_2O中的后氧化退火工艺对AI / SiO_2 / n型4H-SiC MOS界面质量的影响。
作者:
K. Krol
;
M. Kalisz
;
M. Sochacki
;
J. Szmidt
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
oxide;
high temperature oxidation;
post-oxidation annealing;
36.
Characterization of Diverse Gate Oxides on 4H-SiC 3D Trench-MOS Structures
机译:
4H-SiC 3D Trench-MOS结构上的各种栅氧化物的表征
作者:
C. T. Banzhaf
;
M. Grieb
;
A. Trautmann
;
A. J. Bauer
;
L. Frey
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H;
SiC;
3D;
MOS;
trench;
oxide;
interface;
breakdown;
quality;
37.
A Compact Switching Power Supply Utilizing SiC-JFET for an Induction Synchrotron
机译:
利用SiC-JFET的紧凑型开关电源用于感应同步加速器
作者:
Katsuya Okamura
;
Toshiya Mizushima
;
Koichi Takaki
;
Ken Takayama
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
JFET;
pulsed power;
induction synchrotron;
digital accelerator;
38.
40 kW/L High Switching Frequency Three-Phase 400 Vac All-SiC Inverter
机译:
40 kW / L高开关频率三相400 Vac全SiC逆变器
作者:
Kensuke Sasaki
;
Shinji Sato
;
Kohei Matsui
;
Yoshinori Murakami
;
Satoshi Tanimoto
;
Hidekazu Tanisawa
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Three-Phase Inverter;
All-SiC Inverter;
Power Module;
Output Power Density;
39.
Comparative Analysis of Defect Formation in Silicon Carbide under Electron and Proton Irradiation
机译:
电子和质子辐照下碳化硅中缺陷形成的比较分析
作者:
A.M. Ivanov
;
A.A. Lebedev
;
V.V. Kozlovski
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Radiation Defects;
Scattering Events;
Vacancy-generating Collisions;
Energy Distribution of Recoil Atoms;
40.
Simulation and Optimization of 4H-SiC DMOSFET Power Transistors
机译:
4H-SiC DMOSFET功率晶体管的仿真和优化
作者:
Chien-Chung Hung
;
Young-Shying Chen
;
Cheng-Tyng Yen
;
Chwan-Ying Lee
;
Lurng-Shehng Lee
;
Ming-Jinn Tsai
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon Carbide;
SiC;
DMOSFETs;
Device Simulation;
Channel Mobility;
41.
Ni, NiSi_2 and Si secondary ohmic contacts on SiC with high thermal stability
机译:
具有高热稳定性的SiC上的Ni,NiSi_2和Si次级欧姆接触
作者:
Stanislav Cichon
;
Petr Machac
;
Jiri Vojtik
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
ohmic;
contact;
stability;
secondary;
42.
Silicon nitride as top gate dielectric for epitaxial graphene
机译:
氮化硅作为外延石墨烯的顶栅电介质
作者:
Peter Wehrfritz
;
Felix Fromm
;
Stefan Malzer
;
Thomas Seyller
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Epitaxial graphene;
silicon nitride;
field effect;
doping;
43.
Electrical Characteristics of Large Chip-size 3.3 kV SiC-JBS Diodes
机译:
大型芯片尺寸3.3 kV SiC-JBS二极管的电气特性
作者:
Hiroyuki Okino
;
Norifumi Kameshiro
;
Kumiko Konishi
;
Naomi lnada
;
Kazuhiro Mochizuki
;
Akio Shima
;
Natsuki Yokoyama
;
Ren-ichi Yamada
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
JBS;
Leakage current;
Schottky junction;
44.
Sublimation growth of AIN and GaN bulk crystals on SiC seeds
机译:
SiC晶种上AIN和GaN块状晶体的升华生长
作者:
E.N. Mokhov
;
A.A. Wolfson
;
H. Helava
;
Yu. Makarov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
AIN;
GaN;
bulk crystal;
growth;
sublimation sandwich method;
45.
Pulse Current Characterization of SiC GTO Thyristors with Etched JTE
机译:
刻蚀JTE的SiC GTO晶闸管的脉冲电流表征
作者:
Sigo Scharnholz
;
Ralf Hassdorf
;
Gontran Paques
;
Bertrand Vergne
;
Dominique Planson
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Thyristor;
gate turn-off;
GTO;
edge termination;
JTE;
pulsed power;
46.
4H-SiC Trench Schottky Diodes for Next Generation Products
机译:
用于下一代产品的4H-SiC沟道肖特基二极管
作者:
Qingchun (Jon) Zhang
;
Jennifer Due
;
Van Mieczkowski
;
Brett Hull
;
Scott Allen
;
John Palmour
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
SiC;
Schottky diode;
trench structure;
interface field;
termination;
47.
Micromechanics based on silicon carbide
机译:
基于碳化硅的微机械
作者:
O.N Astashenkova
;
A.V. Korlyakov
;
V.V. Luchinin
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
silicon carbide films;
micromechanics;
mechanical stress;
magnetron deposition;
mechanical properties;
48.
Study of surface defects in 4H-SiC Schottky diodes using a scanning Kelvin probe
机译:
使用扫描开尔文探针研究4H-SiC肖特基二极管的表面缺陷
作者:
J. Mizsei
;
O. Korolkov
;
J. Toompuu
;
V. Mikli
;
T. Rang
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Schottky diodes;
leakage currents;
Kelvin probe method;
dislocations;
SEM investigations;
49.
Reliability Investigation of Drain Contact Metallizations for SiC-MOSFETs
机译:
SiC-MOSFET的漏极接触金属化的可靠性研究
作者:
T. Suenner
;
T. Behrens
;
T. Kaden
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
packaging;
silicon carbide;
adhesion;
SiC ohmic contact;
realiability;
50.
Bipolar conduction across a wafer bonded p-n Si/SiC heterojunction
机译:
跨晶圆键合的p-n Si / SiC异质结的双极传导
作者:
P. M. Gammon
;
A. Perez-Tomas
;
M. R. Jennings
;
A. M. Sanchez
;
C. Fisher
;
S. T. Thomas
;
B. T. Donnellan
;
P. A. Mawby
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon Carbide;
Heterojunction;
PiN Diode;
Bipolar conduction;
Wafer bonding;
TEM;
51.
Growth of low-defect SiC and AIN crystals in refractory metal crucibles
机译:
难熔金属坩埚中低缺陷SiC和AIN晶体的生长
作者:
HELAVA Heikki I.
;
MOKHOV Evgeny N.
;
AVDEEV Oleg A.
;
RAMM Mark G.
;
LITVIN Dmitri P.
;
VASILIEV Alexander V.
;
ROENKOV Alexander D.
;
NAGALYUK Sergey S.
;
MAKAROV Yuri N.
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
aluminum nitride;
silicon carbide;
physical vapor transport;
refractory metal carbide;
52.
Defect generation mechanisms in PVT-grown AIN single crystal boules
机译:
PVT生长的AIN单晶球的缺陷产生机理
作者:
Balaji Raghothamachar
;
Yu Yang
;
Rafael Dalmau
;
Baxter Moody
;
Spalding Craft
;
Raoul Schlesser
;
Michael Dudley
;
Zlatko Sitar
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
aluminum nitride;
physical vapor transport;
bulk growth;
x-ray topography;
dislocations;
53.
Heteroepitaxial growth of 3C-SiC on polar faces of 6H-SiC substrates, TEM investigations
机译:
在6H-SiC衬底的极性面上异质外延生长3C-SiC,TEM研究
作者:
S.P. Lebedev
;
A.A. Lebedev
;
A.A. Sitnikova
;
D.A.Kirilenko
;
N.V. Seredova
;
A.S. Tregubova
;
M.P. Scheglov
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
sublimation epitaxy;
heteroepitaxial growth;
3C-SiC;
TEM;
54.
Innovative 3C-SiC on SiC via Direct Wafer Bonding
机译:
通过直接晶圆键合在SiC上创新的3C-SiC
作者:
M. R. Jennings
;
A. Perez-Tomas
;
A. Severino
;
P. Ward
;
A. Bashir
;
C. Fisher
;
S. M. Thomas
;
P. M. Gammon
;
B. T. Donnellan
;
H. Rong
;
D. P. Hamilton
;
P. A. Mawby
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
3C-SiC;
MOS;
Wafer Bonding;
Wafer Bow;
55.
The Integrated Evaluation Platform for SiC Wafers and Epitaxial Films
机译:
SiC晶片和外延膜的综合评估平台
作者:
M.Kitabatake
;
J.Sameshima
;
O.lshiyama
;
K.Tamura
;
H.Oshima
;
N.Sugiyama
;
T.Yamashita
;
T.Tanaka
;
J.Senzaki
;
H.Matsuhata
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Evaluation;
Defect;
Step bunching;
Wafer;
Epitaxial film;
TDDB;
56.
3C-, 4H- and 6H-SiC Bulks Studied by Silicon K-edge X-ray Absorption
机译:
通过硅K边缘X射线吸收研究3C,4H和6H-SiC块体
作者:
Wei Zheng
;
Zhe Chuan Feng
;
Rui Sheng Zheng
;
Ling-Yun Jang
;
Chee Wei Liu
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
6H-SiC;
4H-SiC;
3C-SiC;
synchrotron radiation;
X-ray absorption;
X-ray absorption fine structure;
Extended X-ray absorption fine structure;
X-ray absorption near-edge structure;
57.
Step-flow growth of fluorescent 4H-SiC layers on 4 degree off-axis substrates
机译:
在4度离轴基板上逐步生长荧光4H-SiC层的荧光
作者:
Saskia Schimmel
;
Michl Kaiser
;
P. Hens
;
V. Jokubavicius
;
R. Liljedahl
;
J. W. Sun
;
R. Yakimova
;
Y. Ou
;
H. Ou
;
M. K. Linnarsson
;
P. Wellmann
;
M. Syvaejaervi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
fluorescent silicon carbide;
sublimation epitaxy;
co-doping;
donor-acceptor pair luminescence;
light conversion;
58.
3C-SiC heteroepitaxy on hexagonal SiC substrates
机译:
六角形SiC衬底上的3C-SiC异质外延
作者:
Anne Henry
;
Xun Li
;
Henrik Jacobson
;
Sven Andersson
;
Alexandre Boulle
;
Didier Chaussende
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
3C-SiC(111);
heteroepitaxy;
CVD;
XRD;
Photoluminescence;
59.
Recombination and excess currents in 4H-SiC structure with low-doped n-region
机译:
低掺杂n区4H-SiC结构中的复合和过大电流
作者:
Anatoly M. Strelchuk
;
Evgenia V.Kalinina
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
pn Structure;
Recombination current;
Lifetime;
Excess currents;
60.
Simulation of TEDREC Phenomena for 4H-SiC Pin Diode with p Type Drift Layer
机译:
p / n型漂移层的4H-SiC PIN二极管的TEDREC现象的仿真
作者:
Koji Nakayama
;
Tetsuro Hemmi
;
Katsunori Asano
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
Shockley-type stacking fault;
pin diode;
n-type drift layer;
p-type drift layer;
TEDREC;
61.
Novel Approach for Improving Interface Quality of 4H-SiC MOS Devices with UV Irradiation and Subsequent Thermal Annealing
机译:
通过紫外线照射和随后的热退火改善4H-SiC MOS器件界面质量的新方法
作者:
Heiji Watanabe
;
Daisuke Ikeguchi
;
Takashi Kirino
;
Shuhei Mitani
;
Yuki Nakano
;
Takashi Nakamura
;
Takuji Hosoi
;
Takayoshi Shimura
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
MOS device;
UV-induced damage;
carbon-related defect;
interface state density;
62.
Optical characterization of compensating defects in cubic SiC
机译:
立方SiC中补偿缺陷的光学表征
作者:
P. Scajev
;
K. Jarasiunas
;
P. L. Abramov
;
S. P. Lebedev
;
A. A. Lebedev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Cubic SiC;
carrier lifetime;
diffusion coefficient;
compensation;
63.
Optical properties of the niobium centre in 4H, 6H, and 15R SiC
机译:
铌中心在4H,6H和15R SiC中的光学性质
作者:
Ivan G. lvanov
;
Andreas Gallstroem
;
Stefano Leone
;
Olof Kordina
;
N.T. Son
;
Anne Henry
;
Viktor Ivady
;
Adam Gali
;
Erik Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
transition metals;
niobium;
photoluminescence;
Zeeman effect;
64.
Origin Analyses of Obtuse Triangular Defects in 4deg.-off 4H-SiC Epitaxial Wafers by Electron Microscopy and by Synchrotron X-ray Topography
机译:
电子显微镜和同步X射线形貌分析4deg-off 4H-SiC外延晶片中钝角三角形缺陷的成因
作者:
T. Yamashita
;
H. Matsuhata
;
Y. Miyasaka
;
H. Ohshima
;
M. Sekine
;
K. Momose
;
T. Sato
;
M. Kitabatake
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Silicon carbide (SiC);
Triangular-Defects;
Synchrotron X-ray Topography;
Electron Microscopy;
65.
Effect of suppressing reoxidation at SiO2/SiC interface during post-oxidation annealing in N2O with AI2O3 capping layer
机译:
Al2O3覆盖层在N2O中后氧化退火过程中抑制SiO2 / SiC界面再氧化的作用
作者:
T. Kimura
;
T. lshikawa
;
N. Soejima
;
K. Nomura
;
T. Sugiyama
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
MOS capacitors;
Surface morphology;
SiO_2/SiC interface;
Post-Oxidation Annealing;
N_2O anneal;
interface trap density;
Al_2O_3;
66.
Characterization of POCI_3- and NO-annealed 4H-SiC MOSFETs by Charge Pumping Technique
机译:
电荷泵技术表征POCI_3-和NO退火4H-SiC MOSFET
作者:
Ai Osawa
;
Hiroshi Yano
;
Tomoaki Hatayama
;
Takashi Fuyuki
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
MOS;
POCI_3 annealing;
interface state density;
charge pumping;
67.
Interface defects and negative bias temperature instabilities in 4H-SiC PMOSFETs - a combined DCIV/SDR study
机译:
4H-SiC PMOSFET中的界面缺陷和负偏置温度不稳定性-结合DCIV / SDR研究
作者:
Thomas Aichinger
;
Patrick M. Lenahan
;
Dethard Peters
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
Electrically detected magnetic resonance;
silicon carbide;
MOSFET;
negative bias temperature instability;
polysilicon heater;
polyheater;
68.
Photoluminescence Imaging and Discrimination of Threading Dislocations in 4H-SiC Epilayers
机译:
4H-SiC外延层中的光致发光成像和螺纹位错的辨别
作者:
Masahiro Nagano
;
Isaho Kamata
;
Hidekazu Tsuchida
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
4H-SiC;
Photoluminescence;
X-ray topography;
Threading dislocation;
69.
Piezoresistivity and Electrical Conductivity of SiC Thin Films Deposited by High Temperature PECVD
机译:
高温PECVD沉积SiC薄膜的压阻和电导率。
作者:
Oleg Jakovlev
;
Tino Fuchs
;
Franziska Rohlfing
;
Helmut Seidel
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2012》
|
2012年
关键词:
silicon carbide;
piezoresistivity;
gauge factor;
PECVD;
pressure sensor;
MEMS;
high temperature;
harsh environment;
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