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半导体纳米氧化物气敏传感器的制备及应用

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摘要

论述了金属氧化物SnO<,2>的气敏机理,并对通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物以及形成复合型、多组分氧化物等方法制备SnO<,2>薄膜气敏传感器的最新研究成果进行了简要介绍.

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来源
《中国仪器仪表学会第四届青年学术会议》|2002年|343-344|共2页
会议地点北京
作者
赵全明; 李玲玲; 王广健; 张剑军;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TP212.1;
关键词
气敏材料; SnO,2薄膜; 气敏传感器;

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