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高速电路用GSMBE生长SiGe/Si外延材料

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本文简要介绍了用国产研究型GSMBE分子束外延设备生长高速电路用SiGe/Si异质结外延材料所取得的结果.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|76-77|共2页
会议地点贵阳
作者
刘超; 黄大定; 李建平; 高斐; 孙殿照; 朱世荣; 孔梅影; 林兰英;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类元素半导体;
关键词
分子束外延生长; SiGe/Si; 原位掺杂; 半导体材料;

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中文文献
外文文献
专利

1. GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术 [J] . 黄大定 ,刘超 ,李建平 . 固体电子学研究与进展 . 2003,第2期
2. GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料 [J] . 邹德恕 ,徐晨 ,陈建新 . 半导体学报：英文版 . 2001,第8期
3. GSMBE原位生长SiGeHBT材料 [J] . 黄大定 ,刘金平 ,李建平 . 半导体学报：英文版 . 1999,第12期
4. 低温外延生长应变SiGe材料研究 [J] . 黄大鹏 ,张鹤鸣 ,戴显英 . 电子科技 . 2004,第004期
5. GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管 [J] . 刘学锋 ,王玉田 ,刘金平 . 半导体学报：英文版 . 1999,第4期
6. 高品质HBT用GSMBE生长Si/SiGe/Si材料 [C] . 黄大定 ,刘超 ,李建平 . 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 . 2001
7. 超高真空CVD外延生长SiGeC材料及性能研究 [A] . 王亚东 . 2001

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