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GaAs SOI衬底上Metamorphic-HEMT材料的制备

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本文介绍了GaAs SOI衬底上制备MM-HEMT材料的方法.器件结果显示了优良的电荷控制能力,降低了衬底漏电流和1/5噪声.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|3-5|共3页
会议地点贵阳
作者
周均铭; 陈弘; 贾海强; 王文冲; 黄绮;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
GaAs衬底; MM-HEMT材料; 制备方法;

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