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周均铭;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
GaAs衬底;
机译:通过溅射法在Si(001)衬底上在Si(001)衬底上制备的MgO(001)薄膜的立方对立方体生长
机译:在强电介质LiNbO_3衬底上制备的微磁性材料的磁区结构
机译:用于STEM分析的蓝宝石衬底上的GaN基材料的样品制备
机译:批型射击工艺制备Ni-W衬底上的YBCO线长线材料
机译:用于柔性衬底上的薄膜光伏电池和RF天线的新型地球丰富材料。
机译:射频磁控溅射在CpTi衬底上制备TiC薄膜的微观结构结构和摩擦学特性的数据集
机译:使用喷墨印刷-无电电镀在PCB材料上制造RF电路结构及其衬底的制备
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较
机译:制备包括衬底的复合材料的方法,第一化合物气相沉积在衬底上,形成第一层,第二层通过蒸气三嗪化合物层沉积在第一衬底上,其中对第一层进行阶梯式负载力学。
机译:制备可用于激光粒子加速器的聚合物薄膜包括,例如。在沉积衬底上施加分离层介质,在例如衬底上施加聚合物材料。分离层介质,并分离聚合物材料
机译:制备纳米级沟槽的方法,涉及在衬底上制备纳米线,其中衬底和纳米线上涂覆有材料层,并且在牺牲层上施加一定厚度的光刻胶层
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