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崔利杰;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
分子束外延生长;
机译:由MBE和MOCVD获得的In0.53Ga0.47As / InP的微晶失配薄膜构建的磁场传感器
机译:MBE使用N_2 / Ar RF等离子体通过MBE生长的1.3μmInGaNAs激光材料的特性
机译:MBE在邻近(1 1 1)B InP衬底上通过MBE生长的InAlAs层的材料特性
机译:使用MBE源极-漏极再生长和表面数字蚀刻的高跨导表面沟道In0.53Ga0.47As MOSFET
机译:极性对氨MBE生长的氮化镓的生长和材料性能的影响。
机译:电学和光学特性对AlAs / In0.53Ga0.47As / InAs共振隧穿二极管中生长中断的依赖性
机译:MBE的IN0.52AL0.48AS和IN0.53GA0.47AS的增长
机译:具有通过液相外延生长的In0.53Ga0.47as接触层的N / p Inp同质结太阳能电池
机译:半导体纳米异质结构In0.52Al0.48As / InXGa1-XAs C复合有源区In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As C两次插入InAs
机译:MBE生长的p型氮化物半导体材料
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