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GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长

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摘要

采用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.

著录项

来源
《半导体学报》 |2007年第7期|1088-1091|共4页
作者
郝瑞亭; 徐应强; 周志强; 任正伟; 牛智川;
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作者单位

中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
分子束外延; GaAs; GaSb; InAs/GaSb超晶格;

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