InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器

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• 来源
  《红外与毫米波学报》 |2021年第5期|569-575|共7页
• 作者

  马晓乐; 郭杰; 郝瑞亭; 魏国帅; 王国伟; 徐应强; 牛智川;

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• 作者单位

  云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室 云南昆明650500;

  云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室 云南昆明650500;

  云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室 云南昆明650500;

  云南师范大学云南省光电信息技术重点实验室 云南昆明650500;

  中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083;

  中国科学院大学材料科学与光电子工程中心 北京100049;

  中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083;

  中国科学院大学材料科学与光电子工程中心 北京100049;

  中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室 北京100083;

  中国科学院大学材料科学与光电子工程中心 北京100049;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN140.3050;
• 关键词

  InAs/GaSb超晶格; GaSb体材料; 中短双色; 红外探测; 侧壁电阻率; 低串扰;