InAs/GaSb超晶格中短波双色探测器新型钝化方法研究

张利学; 鲁星; 朱旭波; 姚官生

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InAs/GaSb超晶格中短波双色探测器新型钝化方法研究

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由于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料有较高的表面态密度,易在表面生成导电氧化层,在将其制备成红外器件的过程中,首先要解决钝化问题.钝化效果和覆盖膜层质量对红外器件的表面漏电和噪声有很大影响.使用阳极氟化加硫化锌的方法,对中短波双色InAs/GaSb超晶格进行钝化,使用俄歇电子能谱测试证实了阳极氟化的可靠性,使用77 K下的J-V测试结果,对比证实了氟化的钝化效果和对漏电流密度的改善效果.结果表明,阳极氟化加硫化锌的钝化方法可以有效抑制漏电.

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来源
《航空兵器》 |2021年第5期|110-113|共4页
作者
张利学; 鲁星; 朱旭波; 姚官生;
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作者单位

中国空空导弹研究院河南洛阳 471009;

红外探测器技术航空科技重点实验室河南洛阳 471009;

空装驻洛阳地区第一军事代表室河南洛阳 471009;

中国空空导弹研究院河南洛阳 471009;

红外探测器技术航空科技重点实验室河南洛阳 471009;

西北工业大学材料学院西安 710072;

中国空空导弹研究院河南洛阳 471009;

红外探测器技术航空科技重点实验室河南洛阳 471009;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
InAs/GaSb超晶格; MBE; 表面钝化; 双色探测器; 阳极氟化;

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