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一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法

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本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。本发明在所述生长过程中通过控制As、Sb束流比以及InSb界面层的厚度以实现较好的材料质量。本发明通过控制InAs层和GaSb层的厚度比例关系可以实现在不同红外波段的响应，并进一步可以制作多种波段的红外探测器器件。

著录项

公开/公告号CN103233271B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-09-28

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院半导体研究所;
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申请/专利号CN201310135986.9
发明设计人郭晓璐;马文全;张艳华;
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申请日2013-04-18
分类号C30B29/68(20060101);C30B19/00(20060101);H01L31/101(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人宋焰琴
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 09:47:55

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-04-05

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/68 授权公告日:20160928 终止日期:20180418 申请日:20130418

专利权的终止
2016-09-28

授权

授权
2016-09-28

授权

授权
2013-09-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B29/68 申请日:20130418

实质审查的生效
2013-09-04

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/68 申请日:20130418

实质审查的生效
2013-08-07

公开

公开
2013-08-07

公开

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