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刘玉贵; 王维军; 罗四维; 江泽流;
中国电子学会;
电子束曝光技术; 直栅; T型栅; 工艺条件; 直接光刻;
机译:深亚微米T型栅和原子层外延MgCaO作为栅介质的AlGaN / GaN / SiC MOSHEMT的DC和RF性能
机译:燃气轮机转子内的跨音速流-直栅和旋转环形栅中流场的实验研究。
机译:通过铁电涂覆栅堆叠侧壁来扩大200nm以下亚铁电栅场效应晶体管存储窗口的新工艺
机译:多栅氧化物预清洗的一浴型湿直凳高可控性和低成本APM工艺
机译:使用非自对准栅工艺的替代栅叠层的制造和器件表征。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:Fe.4 - 喷墨印花PEI FET型湿度传感器,具有水平浮栅
机译:后栅等离子体和溅射工艺对金属栅CmOs集成电路辐射硬度的影响
机译:形成t型栅电极的方法和使用该t型栅电极形成具有t型栅电极的MOS晶体管的方法
机译:触发器电路,用于通过使用弯曲的rueckkopplungs变压器和屏蔽栅栅来向电子束中的电子束偏转器产生锯齿形偏转电压或偏转电流
机译:难熔金属栅电极的制造方法及反向t型难熔金属栅
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