薄膜多晶硅电池的模拟计算

摘要

本文对多晶硅薄膜光生载流子的迁移率、复合率以及陷获电子浓度、陷获空穴浓度等进行了理论推导.以此为理论基础,建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型.利用该模型,模拟计算了晶界缺陷态密度、晶粒尺寸、P/T界而缺陷态密度以及陷光结构等对单结多晶硅薄膜电池性能的影响,并对模拟结果进行了讨论.

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