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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会

召开年：2001
召开地：北京
出版时间： 2001-09-01

主办单位：中国金属学会

会议文集：金属功能材料联合学术研讨会论文集

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1.在铝诱导下非晶硅薄膜低温快速化研究
- 梁厚蕴;林揆训;石旺舟;周甫方
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本工作重点是在镀铝(0.5～4μm)的玻璃基底上用射频化学气相沉积1～4μm厚的a-Si薄膜(基底沉积温度为300℃,沉积速率为1.0μm/h),然后样品在共熔温度下、N<,2>气保护中热退火,可使其快速晶化成为多晶硅薄膜.结果表明:在铝薄膜的诱导下a-Si薄膜在温度550℃附近退火5min即可达到晶化,X-射线衍射分析显示样品退火30min形成的硅层基本全部晶化,且具有良好的晶化质量.
2.沉积a-Si:H薄膜衬底温度对固相晶化影响的研究
- 姚若河;林璇英;吴萍;余楚迎;林扌(葵)训
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：用a-Si:H薄膜经固相晶化为多晶硅薄膜,其形成的晶粒尺寸和性能与a-Si:H薄膜的初始结构有密切的关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件,其中衬底温度是一个重要的因素,本文重点研究沉积a-Si:H薄膜衬底温度对后续固相晶化效果的影响.实验表明存在一个最佳的沉积衬底温度,使得最终获得的多晶硅薄膜的性能最优.并对其机制进行了分析讨论.
3.氢化微晶硅薄膜电输运性质的研究
- 刘丰珍;冯勇;朱美芳;韩一琴;刘金龙
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：采用热丝化学气相沉积(HWCVD)方法制备了不同晶态比(X<,c>)的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了μc-Si:H薄膜的暗电导率(σ<,d>)与X<,c>的关系,测量了μc-Si:H薄膜的暗电导温度特性.针对薄膜的柱状生长特点和薄膜的纳米晶、非晶和界面的混合相结构,建立能带模型.对σ<,d>-T关系进行了数字拟合计算,计算中考虑了热发射、隧穿、带尾态输运和变程跳跃电导等输运机制.发现,室温下具有较低X<,c>的薄膜,电子热发射跃过势垒是主要的输运机制,而对于较高X<,c>的薄膜,电子通过势垒的隧穿对电导起主要的作用.对σ<,d>-T关系拟合计算发现,对于X<,c>＜0.6的样品,在20～210K的范围内符合非晶变程跳跃电导的lnσ<,d>-T<'-14>关系.而对于高X<,c>的薄膜样品,在低温下必须考虑带尾局域态输运的贡献.同时发现,氧的存在使得薄膜的电导率存在0.15eV的激活能.
4.离子注入、共溅射方法制备SiO<,2>(Eu)薄膜光发射和Eu<'3+>到Eu<'2+>的转变
- 刘丰珍;朱美芳;刘涛;李秉程
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：采用共溅射和铕离子注入热生长的SiO<,2>方法得到SiO<,2>(Eu)薄膜,Eu离子的掺杂浓度用Rotherford背散射确定为4﹪和0.5﹪.对样品的光荧光测试发现,薄膜具有峰值在604nm和443nm的红光和蓝光发射,分别对应于Eu<'3+>的<'5>D<,0>-<'7>F<,J>跃迁和Eu<'2+>的4f<'6>5d<'1>-4f<'7>(<'8>S<,1/2>)的跃迁.样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究,表明了在高温氮气中发生了Eu<'3+>向Eu<'2+>的转变.SiO<,2>(Eu)薄膜高温氮气温退火下蓝光发射的增强证明了这一结论.
5.伽玛射线辐照对富硅氧化硅薄膜光致发光谱影响的研究
- 马书懿;秦国刚;王印月;刘雪芹;马书懿
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发光PL谱中两个主峰的峰位位于710和800nm.γ射线辐照后,该两峰的强度分别增加3～5倍,面发光峰位不移动.并且,在所有样品的PL谱中都出现了一个新的位于580nm的发光峰.当对PL谱中位于710、800nm和新出现的580nm的发光峰作变温PL测量时,发现这三个发光峰的峰位均不随测量温度的升高而发生移动.本文的实验现象显示出:富硅氧化硅膜的PL来源于氧化硅中的发光中心,而不是纳米硅粒.
6.射频共溅射沉积Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>薄膜的激光退火效应
- 刘雪芹;王印月;马书懿
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：用射频共溅射沉积和脉冲激光退火后处理方法在硅(100)上成功制备了厚约100nm的Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>三元半导体合金薄膜.应用傅立叶变换红外光谱(FTIR)和X射线衍射(XRD)研究激光退火条件对薄膜结构的影响.在激光能量密度1.0J/cm<'2>附近两个脉冲下退火,样品结晶质量较好,而且相当一部分C原子固定在替代位置,没有SiC沉积.随着C含量的增加,Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>薄膜的衍射峰逐渐靠近硅衬底衍射峰.说明C掺入Si<1-x-y>Ge<,x>合金中减少了硅上生长Si<,1-x>Ge<,x>薄膜的压应变.
7.热丝助PECVD制备多晶硅薄膜的结构特点
- 冯勇;刘丰珍;朱美芳;刘金龙;韩一琴
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：将热丝(钨丝)作为催化器平等地抛引入等离子体增强化学气相沉积,建立热丝助PECVD沉积系统.在固定沉积气压、氢稀释度、射频功率和300℃衬底温度的条件下,研究不同钨丝温度T<,f>对硅薄膜晶化的影响.结果表明,随着T<,f>的提高,沉积速率、硅薄膜晶化程度和晶粒大小明显增加,呈现半高宽为0.2度,(220)优化生长方向,获得了高晶态比(0.95)的多晶硅薄膜.Raman散射谱Si-Si TO峰位于520.5cm<'-1>,半高宽为7.1cm<'-1>,表明热丝的引入有很好的晶化增强效果.
8.用SiCl<,4>/O<,2>-PECVD技术低温沉积硅基厚SiO<,2>薄膜
- 余云鹏;徐严平;吴永俊;林璇英
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文选取了不含H<,2>的SiCl<,4>/O<,2>混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术实现低温沉积Si基微米厚度的SiO<,2>薄膜,测试并分析沉积速率、结构组份和折射率随工艺参数的变化关系,结果表明:沉积速率随着r.f.功率和衬底温度的增高而增大,随气体压强升高而急剧下降;薄膜中除Si-O非桥接键之外,检测不到H、Cl和N杂质原子与Si的结合键,适当的功率引起的离子轰击作用和较高的T<,a>都有助于Si-O-Si桥键网络结构的优化,在250℃时,30W和15W样品的结构和折射率趋于一致.
9.多晶硅薄膜的固相晶化法制备及光电特性研究
- 吴萍;林璇英;姚若河;余楚迎
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备a-Si:H薄膜,通过固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500-650℃).利用X射线衍射分析多晶硅的平均晶粒尺寸与a-Si:H的沉积条件和退火条件的关系:测量了多晶硅薄膜的室温暗电导率和光能隙,并讨论了影响它们的因素.
10.高温形状记忆合金
- 张婕;周乐文;姜东慧;张庆国;胡新;文飞
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：马氏体逆相变开始温度A<,s>点稳定在120℃以上的形状记忆合金称之为高温形状记忆合金,有多种合金系可供选择.本文综述了现有的几种高温形状记忆合金系的研究现状.
- 高温形状记忆合金;
- 相变;
11.光热退火非晶硅膜低温晶化的实验研究
- 贾嵩;葛惠春;王宗畔;耿新华
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文报道了利用卤钨灯的光量子效应和快速升温特点,在低温下晶化非晶硅薄膜的研究结果.分析了初始膜中的微晶成分在晶化过程中的作用,对晶化后的材料进行了光电特性测试.最后,简述了利用部分掺杂和脉冲加热方式进行非晶硅晶化的结果.
12.纳米超微金石膜的场电子发射研究
- 张生俊;陈光华;公维宾;宋雪梅;邵乐喜
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文主要报道对用普通炸药爆炸法合成的纳米金刚石粉进行特殊处理后,制成载粉液,然后涂敷于石英衬底上,在10<'-4>Pa真空度下进行场电子发射测量.对n-Si衬底,实验发现,开启电压为400V,对应场强为4.0V/μm,稳定发电流为130mA/cm<'2>.
- 纳米超微金刚石膜;
- 场电子发射;
13.射频辉光放电等离子体中电子能量的单探针诊断
- 池凌飞;林揆训;姚若河;林璇英;余楚迎;余云鹏
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：等离子体化学气相淀积是制备现代功能薄膜的重要工艺.射频辉光放电等离子体的特点是电子能量分布范围较宽.所以诊断和控制等离子体参数,就成为研究薄膜沉积机理的关键性问题.在多种诊断等离子体的方法中,最简单、最方便的方法是Langmuir单探针,电子能量分布函数与探针I-V曲线的二次微商成正比.但在应用探针诊断时,会遇到诸多问题.另外,由于系统内部存在着固有的统计噪声,使得获得电子能量分布函数变得十分困难.本文报道了使用调谐探针,在抑制了对探针的射频干扰之后,对探针I-V曲线的统计涨落噪声进行了数字滤波的光滑化处理,尔后求微分;在相同的放电条件下,运用自行设计的微商电路对探针特性曲线的二次微商进行在线测量.两种方法均获得了射频辉光放电氩等离子体的电子能量分布函数,并且两者结果相一致.证明本文所采用的数值处理方法是确实可行的.
14.铸态MINi<,3.5>Co<,0.75-x>Cr<,x>Mn<,0.55>Al<,0.2>合金的电化学性能
- 李平;王新林;赵韦人;李蓉;马诺
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：为了降低稀土系贮氢合金的成本,研究了Cr部分替代Co对MINi<,3.5>Co<,0.75-x>Cr<,x>Mn(,0.55>Al<,0.2>(x=0,0.15,0.3,0.45,0.6,0.75)合金的电化学性能的影响.合金通过中频感应炉熔炼获得,用开口式三电极法测试其电化学性能,发现从整个趋势上看Cr替代Co恶化了贮氢合金的电化学性能,随着Cr的增加,容量降低,放电平台更差,但Cr的替代对活化速度基本没有影响,活化次数都为2次.当x=0.6时,其电化学性能并不按趋势而下降,各电化学性能指标高于x=0.45时的样品.文中还提出量化评价放电电压性能的新方法,首先用电压变化率来定义平台,然后用平台绝对长度、相对长度、平台电压、平台平坦度来量化表示放电电压特性.
15.泡沫铝研究进展
- 贾泮江;戴圣龙
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文介绍有关泡沫铝研究方面的国内外进展状况,阐述该种金属的物理特性及其在军民品中的应用,简要介绍了泡沫铝常制备方法,并提出了一些值得注意的研究方向.
16.机械合金化制备铅铝合金的微观结构观察
- 胡劲;孙勇;熊九朗
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：文献资料表明,对典型的非溶混体系-铅-铝系,可利用机械合金化的方法消除比重偏析及铅挥发性的影响,能获得均匀混合的组织.本文采用机械合金化法制备了不同配比的铅铝合金材料,并对其进行了金相、扫描电镜、电子探针观测与分析.研究了铅铝合金材料的微观结构特点,对机械合金化方法的机理作了一定的探讨.
17.用脉冲准分子激光“图形直写”技术制备周期性硅晶粒结构薄膜
- 贺德衍;程文娟;贾海军;谢二庆;陈学康;吴敢
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文报道用气相脉冲KrF(248nm)准分子激光“图形直写”技术晶化非晶硅(a-Si)薄膜制备周期性硅晶粒结构.实验发现,大小约为2μm的硅晶粒严格按确定的周期分布在样品中,在室温下样品发出红光,谱峰的峰波长位于723nm和750nm.通过改变a-Si薄膜的生长条件,控制晶化过程中激光光束的能量分布和样品中温度场分布,有望制备出晶粒尺寸更小的硅晶粒周期结构.
18.稀土硅化物YbSi<,2-x>的固相外延及原位电阻率测量
- 王文武;谢二庆;张亚涛;姜宁;贺德衍
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：用共蒸发方法将高纯稀土金属镱和多晶硅材料以原子比1:2蒸发在单晶硅和SiO<,2>衬底上得到了非晶稀土硅化物,然后对其进行红外退火和原位电阻率测量.用2.5MeV<'+>Li<'-7>背散射技术确定了材料中的成分及其分布,用X-射线衍射测量了样品的结构相.原位电阻率测量表明,单晶硅上稀土硅化物的外延生长温度约为260℃,而SiO<,2>衬底非晶相-晶相的转变温度为400℃左右,说明稀土硅化物的固相外延生长温度显著低于自身的晶化温度.
19.磁粉表面处理对粘结NdFeB性能的影响
- 史新伟;黄金亮;杨留栓
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：NdFeB磁粉的氧化问题是影响粘NdFeB磁体性能的重要因素之一.本文利用复合材料的原理,采用不同的工艺,分别在粘结NdFeB磁粉表面包覆一层粘结剂和硅烷耦联剂,系统研究了包覆处理前后的粘结NdFeB磁粉的等时及等温氧化规律;深入探讨了磁粉的包覆处理对粘结NdFeB磁体的抗压强度及磁性能的影响.结果表明:有机物包覆处理后的磁粉的抗氧化性比未经处理的磁粉提高15﹪～45﹪,而相应的粘结NdFeB磁体的抗压强度及最大磁能积也分别提高2﹪～6.2﹪,0.3～1.8﹪.利用SEM对磁粉表面及磁体断口进行观察,观察结果表明:将磁粉与粘结剂在溶液中混合及用硅烷包覆处理时,磁粉的表面状态得到明显改善,磁粉表面粘结剂分布均匀,尤其是经硅烷包覆处理过的磁粉,其表面的粘结剂分布更均匀,磁粉的结合更致密,因而能南昌市其抗氧化性及磁体的抗压强度,最张提高磁性能,从磁体断口的扫描观察中也能得到类似的结果.
20.高性能烧结NdFeB母合金中α-Fe相对含量研究
- 黄秀莲;衣晓飞;赵晨阳;王洪军;千正男;王向群
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文在分析Nd-Fe-B合金的平衡相图基础上,探索了α -Fe相对含量与母合金中稀土总量的关系,同时得到了生产高性能(最大磁能积大于336kJ/m<'3>)烧结NdFeB磁体时母合金在1373K时的最佳等温退火时间为6～8h,经等温退火可有效降低母合金的α-Fe含量.
21.直接快淬法制造高性能NdFeBSiAl永磁合金
- 衣晓飞;黄秀莲
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文探讨了利用直接快淬的方法批量生产高性能Nd<,2>Fe<,14>B基永磁合金的可能性,对比了非晶-晶化工艺和直接快淬工艺对Nd<,2>Fe<,14>B基永磁合金性能的影响,利用此工艺在Nd<,12>Fe<,bal>B<,5.7>Si<,1.0>Al<,0.4>材料中得到了批量性能为B<,r>=0.83T、<,j>H<,c>=955kA/m、(BH)<,max>=112kJ/m<'3>的快淬永磁合金.
22.纳米晶双相NdFeB合金的晶化动力学研究
- 徐晖;倪建森;朱明原;周邦新;董远达;肖学力
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：纳米晶双相永磁材料是近几年发展起来的一种新型永磁材料,本文采用示差扫描量热计(DSC)和X射线衍射(XRD)法对不同成分的三种快淬NdFeB系双相永磁合金的晶化动力学进行研究.研究发现,非晶态Nd<,8>Fe<,73.5>B<,18.5>合金的DSC曲线上出现两上距离较近的尖锐的放热峰,其晶化激活能分别为478.52kJ/mol和512.70kJ/mol.非晶态Nd<,8.5>Fe<,78>Co<,5>Cu<,1>Nb<,1>B<,6.5>合金的DSC曲线上存在两个距离较远的放热峰,其晶化激活能分别是331.96kJ/mol和470.54kJ/mol.非晶态Nd<,8.5>Fe<,80.5>Co<,5>Sn<,1>Nb<,1>B<,4>合金的DSC曲线上仅出现了一个放热峰,其对应的激活能为389.53kJ/mol.非晶态Nd<,8>Fe<,73.5>B<,18.5>合金退火后,α-Fe,Fe<,3>B,Nd<,2>Fe<,14>B和亚稳相Nd<,2>Fe<,23>B<,3>几乎同时析出.非晶态Nd<,8.5>Fe<,78>Co<,5>Cu<,1>Nb<,1>B<,6.5>合金和非晶戊Nd<,8.5>Fe<,80.5>Co<,5>Sn<,1>Nb<,1>B<,4>合金在退火后,首先析出α-Fe和亚稳相Nd<,3>Fe<,62>B<,14>进一步加热,亚稳相Nd<,3>Fe<,62>B<,14>分解为Nd<,2>Fe<,14>B和α-Fe.
23.Al对Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe双相纳米永磁合金性能的影响
- 王东岭;赵伟人;崔利亚;祝景汉
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文研究了不同Al含量对Nd<,2>Fe<,14>B/α-Fe双相纳米永磁材料显微结构和磁性能的影响.采用熔体快淬方法制备实验样品,分析、测量了样品的相组成及磁性能.研究了快淬样品在特定温度下,热处理前后的磁性能改变.结果表明,随着添加的Al含量的增加,在同一制备工艺下材料淬态的非晶化更为显著,且Nd<,2>Fe<,14>B相的结晶温度向高温方向偏移.与不含Al的样品相比,Al的添加显著降低快粹材料的矫顽力和饱和磁化强度,但大大提高热处理后的样品的磁性能.
24.球磨SmCo<,5>纳米晶的结构与磁性
- 张健;沈保根
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文对球磨SmCo<,5>及后续退火所形成纳米晶的结构与磁性进行了研究.研究表明球磨后样品经不同温度退火可形成1:7相、1:5相和2:17相.样品的晶粒大小随退火温度的升高而增大.由于成相和晶粒大小的变化,样品的磁性也能发生很大变化:随退火温度的升高样品的矫顽力先升高而后降低,饱和磁化强度,剩磁比和最大磁能积随退火温度的升高而下降,通过对球磨后550℃退火30min的样品的矫顽力机制研究表明,其矫顽力由钉扎机制控制.
25.非晶配电变压器商品化十五年
- 陈国钧;王成德;吕键;陈殿金
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文评述了非晶配电变压器(AMDT)商品化十五年来在世界各国和我国的发展,以及国内AMDT的性能.估算了应用AMDT的节能效果、经济效益及减少温室气体排放量等情况.最后介绍了AMDT的最新发展.
26.Fe基纳米晶软磁合金的发展
- 秦添艳
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文把Fe基纳米晶软磁合金分成了不易氧化、原始非晶带制备过程更容易的Fe-M-Si-Cu-B(M=Nb,Mo,V,W,Cr)类和具有更高饱和磁感应强度B<,s>的Fe-M-B(M=Zr,Hf,Nd,Nb)类两大类别.对Fe-M-Si-Cu-B类合金,主要概括了在早期开发的Fe-M-Si-Cu-B的基础上用更廉价的金属如Mo、V、W、Cr代替Nb而开发的一系列新型纳米晶软磁合金的综合软磁性能及其应用,同时也概括了Fe-M-B类合金的发展情况.对铁基纳米晶软磁合金的种类、组成、各项磁性能及发展趋势括行了综合评述.横向比较了各种不同合金的优缺点,展望了铁基纳米晶软磁合金的应用前景.
27.Gd<,2>Fe<,17-x>Al<,x>(x=7,8)化合物中的R-T交换耦合常数的计算
- 郝延明;李养贤;曲静萍
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文提出了利用分子场近似结合中子衍射或X射线衍射的实验结果计算R<,2>Fe<,17>型稀土过渡族化合物中的稀土磁矩与过渡族磁矩之间的交换耦合常数的方法,并据此计算了Tb<,2>Fe<,10>Al<,7>和Gd<,2>Fe<,17-x>Al<,x>(x=7,8)化合物中的稀土磁矩与过渡族磁矩之间的交换耦合常数-J<,RT/k>,计算结果分别为10.66K,10.65K和9.85K与高场测量的实验值10.35K,10.1K和10.3K符合得较好.
28.机械合金化制备NdFe<,10.5>Mo<,1.5>N<,x>过程中粉末形貌和微结构研究
- 杨红川;张久兴;周美玲;左铁镛
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：研究了机械合金化过程中粉末形态和微结构的变化,通过扫描电子显微镜,能清楚地观察到粉末颗粒的破和聚集复合过程以及复合颗粒的形成.X-射线衍射分析表明,非晶的产生与粉末复合颗粒的形成有着密切的关系,且球磨的最终产物为非晶+α-Fe(Mo)+Mo.
29.双钙钛矿氧化物Sr<,2>CrWO<,6>的磁必及输运性质研究
- 王锦辉;朱浩;韩红梅;钟伟;都有为
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文初步研究了双钙钛矿型Sr<,2>CrWO<,6>的磁性和输运性质.Sr<,2>CrWO<,6>多晶在Ar气及真空气氛中经固相烧结而形成.X-射线衍射分析表明主相为Sr<,2>CrWO<,6>,少量杂相为SrWO<,4>.热磁测量表明样品的居里温度为480K左右.样品矫顽力较大,在5.97×10<'4>A/m左右,远大于Sr<,2>FeMoO<,6>或锰氧化物La<,0.7>Sr<,0.3>MnO<,6>.电阻随温度降低而升高,类似于绝缘体,在外场5T,低温(25K)下磁致电阻MR可达20﹪,但MR随温度升高而趋于0<'°>.较大的矫顽力以及低场部分MR-H曲线偏离高场下的线性曲线显示样品可能有较强的磁各向异性.
30.Ni/Co/Ni/Pt多层膜中的各向异性磁电阻
- 王海;唐云俊;越洪武;王荫君;詹文山
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：在Ni插层的Co/Pt多层膜Ni/Co/Pt中观察到随Ni厚度增加而大幅度增强的各向异性磁电阻峰,而在未插层的纯Co/Pt多层膜中各向异性磁电阻随磁性层Co的增加单调增加.X射线衍射的结果表明:薄于0.3nmNi的引入导致多层膜周期结构在一定程度上的破坏,界而平整度降低;进一步增加Ni层的厚度,周期结构逐渐改善,界面平整度提高.在纯Pt/Co多层膜系列样品中的周期结构和界面平整度随Co层厚度的增加而单调增加.基于以上的实验事实,可以指出界面效应导致各向异性磁电阻的增强.
31.化学沉积纳米晶钴硼合金的结构与磁学性能分析
- 张勇;吴玉程;李广海;乔祎;张立德
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：用化学沉积方法在近似中性条件下以DMAB为还原剂制备了纳米晶估硼合金.采用了DSC、TEM等手段表征了纳米晶钴硼合金在沉积态和热处理态下的结构变化情况.用振动试样磁强计(VSM)考察了沉积膜的磁学性能.结果显示,沉积态纳米晶钴硼合金具有良好的软磁特性,Hc//达到222.82A/m,在140℃热处理1h后,Hc//达到183.03A/m,随着热处理温度的进一步提高,晶粒尺寸不断增大,软磁性能呈现恶化趋势.
32.非晶配电器变压器空载损耗与其容量的关系
- 王旭军;陈国钧
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：用数理统计的方法获得了SH-M和SH-11二个系列的非晶配电变压器空载损耗P<,0>与其容量S的回归方程.与六十、七十、八十、九十年代的硅钢配电变压器相比,其P<,0>大大降低了.
33.低B<,r>纳米晶Fe<,73>Cu<,1>Nb<,2>V<,1.5>Si<,13.5>B<,9>合金的磁性能
- 张延忠
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：纳米晶Fe<,73>Cu<,1>Nb<,2>V<,1.5>Si<,13.5>B<,9>合金经横向磁场退火后,处于B<,r>=0.05T的低B<,r>的原始磁状态,仍具有高达4.1×10<'4>的起始磁导率.本文报道了这种低B<,r>合金的弱场磁导率的频散行为以及B<,m>f为恒定值时铁损和频率的关系.其高频铁损P/kW·m<'3>达到如下水平:P<,5/20k>=354,P<,3/100k>=374,P<,2/200k>=541,P<,1/500k>=653,及P<,0.5/1000k>=521.与无磁场退火后的高起妈磁导率状态的磁性比较表明,横向磁场退火使高频铁损明显降低.
34.Zr<,41>Ti<,14>Cu<,12.5>Ni<,10>Be<,22.5>块体非晶合金的晶化动力学
- 张克勤;张湘义
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：用差热分析(DSC),结合X射线衍射(XRD)研究了Zr<,41>Ti<,14>Cu<,12.5>Ni<,10>Be<,22.5>非晶合金的晶化动力学.结果表明:在温度低于650℃范围内,合金的晶化相主要为Ti<,2>Ni和Zr<,2>Cu.Ti<,2>Ni相在晶化初期激活能较小,为159kJ/mol.它随晶化量X<,c>的增加而增大,在X<,c>为90﹪时达到最大值220kJ/mol.Zr<,2>Cu相的晶化激活能在X<,c>为5﹪～60﹪范围内变化不大,然后随晶化量X<,c>的增加而增大当<,c>为65﹪时,达到最大值257.35kJ/mol.
35.超导功能材料最新进展
- 潘树明
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
36.非晶硅的瞬态光电导响应及其光致变化
- 孔光临;张世斌;廖显伯;王永谦;刁宏伟
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：利用具有良好瞬态响应的EG&G的4400信号检测系统测量了a-Si:H样品的退火态和不同时间曝光后的瞬态光电导的衰减情况.对实验结果的拟合分析表明:有两种陷阱对衰减有贡献;曝光使光生载流子的复合中心增加,寿命减小.比较了不同制备条件的非晶硅薄膜的光致变化情况,证实了高氢稀释的薄膜更加稳定.
37.BN薄膜的ECR CVD制备及结构
- 张生俊;陈光华;严辉;王波;张德学;宋雪梅
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：氮化硼是一种有着多种型态,多种优异性能和多种应用的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,多年来一直受到很大关注.本文利用微波电子回旋共振化学气相沉积(MW-ECR CVD)系统制备了BN薄膜.XRD结果表明薄膜为h-BN和r-BN的混合相,指标化结果表明r-BN的晶胞常数分别为a<,0>=2.5025埃.c<,0>=10.0177埃.衍射峰强度的相对变化反映了基面的取向.FTIR结果表明,由B-N-B面外弯曲振动峰的位置,薄膜可确定为a-BN,t-BN或h-BN(r-BN).
38.纳米金刚石涂层上化学气相沉积金刚石薄膜的SEM研究
- 邵乐喜;刘小平;谢二庆;贺德衍;徐康;陈光华
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：在微波等离子体化学气相沉积(MWP-CVD)系统中进行金刚石薄膜的生长之前,对光滑硅衬底分别进行了超微纳主金刚石粉的涂覆预处理和数十微米金刚石细屑的研磨处理,运用扫描电子显微镜(SEM)研究了生长在涂敷衬底和研磨衬底上的金刚石薄膜的成核、生长行为及其结构特征.结果表明,纳米粉预处理能在显著提高成核密度的同时,大大缩短长成连续膜所需时间;薄膜的生长过程由前后相继的两个阶段所构成,即确定晶面形成前球状颗粒的成长与融合阶段和晶面的逐渐显露与晶粒长大阶段.经足够长的生长时间后,所得薄膜具有结构致密、晶面清晰、晶形完整和表面平整度高的特征.而研磨处理衬底上的薄膜一旦成核,便确定晶面的显露,但却出现明显的二次成核和孪晶,所得薄膜的致密性与表面平整度均不及涂覆处理的好.研究指出,炸药爆轰制备的纳米金刚石粉对衬底的预处理,不仅简单有效而且经济衫,尤其适合于高致密性自支持金刚石薄膜的生长.
39.旋转速度对C<,60>分子与石黑表面碰撞结果的影响
- 刘玉真;罗成林
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：利用紧束缚分子动力学模拟C<,60>分子在旋转状态下碰撞石墨表面,结果与无旋转情况下的碰撞有很大的差别.在入射质心动能相同的条件下,C<,60>分子的结构破坏更严重,而且C<,60>分子更容易吸附在石墨表面.
40.非晶硅薄膜的低温快速固相晶化
- 林揆训;林璇英;梁厚蕴;池凌飞;余楚迎;石旺舟;姚若河;黄创君;杨坤进
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火10min.退火温度为500℃时,薄膜表面形成了硅铝的混合相;退温度为550℃时,大部分(约80﹪)的非晶硅晶化为多晶硅,平均晶粒尺寸为500nm;退火温度为600℃时,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅,其平均晶粒尺寸约为1500nm.
- 非晶硅薄膜;
- 固相晶化;
41.C<,60>-PMMA复合膜的纳米结构及光学特性
- 李英兰;陈光华;邹云娟;王波;严辉;陈光华
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：以C<,60>和PMMA为原料,采用溶胶-凝胶法,在石英、KBr压片及微栅衬底上分别制备了C<,60>-PMMA复合膜.利用透射电子显微镜(TEM)和紫外-可见光谱(U<,v>-Vis),研究了该复合膜的形貌、微结构及光学特性,C<,60>颗粒的平均尺寸分布为18nm～75nm.
42.GeSi薄膜的低温制备及其生长表面反应控制
- 程文娟;罗靖;张胜利;贺德衍
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文报道用等离子体增加化学气相沉积方法在单晶硅和玻璃衬底上低温生长GeSi薄膜,用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱和反射谱、透射谱等进行测量对样品的结构、成分和光学特性进行了表征,研究了生长条件对薄膜生长表面反应的影响.结果表明,样品由大小为20-30nm左右的晶粒构成,样品中Ge的含量依赖于样品生长时GeH<,4>和SiH<,4>的流量比.衬底温度和气体流量对薄膜纳米晶粒结构的形成具有协同作用,进而影响着薄膜的光学特性.文中对这些实验结果从生长表面反应及纳米晶粒形成进行了分析.
43.稀土(Yb,Gd)硅化物的固相外延与红外、喇曼光谱研究
- 谢二庆;王文武;张亚涛;贺德衍
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文报道用共蒸发法并辅助原位退火在单晶硅上制备稀土硅化物外延层.利用2.5MeV<'+>Li<'7>卢瑟福背散射研究了外延层中的原子浓度及其分布,用红外透射谱和喇曼光谱测量得到了不同退火温度下这些稀土硅化物的红外特征吸收和喇曼特征峰,结合X-射线衍射测量研究了这些稀土硅化物由非晶相的转变过程.
44.射频功率对SiC薄膜防氚渗透性能的影响
- 谭利文;王玫;王波;宋雪梅;陈光华;严辉
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文采用偏压辅助射频溅射法,在高阻单晶硅(100)和316L不锈钢双面杯衬底上沉积SiC薄膜,研究了射频功率对SiC薄膜防氚渗透性能的影响.在不同射频功率下制备SiC薄膜,并测试了SiC薄膜的傅立叶红外光谱(FTIR)、SEM和氚渗透率.测试结果表明,射频功率越高沉积了SiC薄膜的不锈钢双面杯的氚渗透率越小,即SiC薄膜防氚渗透性能越好.同时,发现薄膜中SiC的含量对薄膜的氚涌透率有重要的影响.另外,SiC薄膜均匀致密,光法度较高.在500℃下,沉积了SiC薄膜的不锈钢双面杯的氚渗透率下降了4个数量级.
45.优质多晶硅薄膜的低温制备技术
- 林璇英;黄创君;林揆训;余楚迎;姚若河
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：多晶硅薄膜是集晶体材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料.本文综述低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.
46.氧化镍超电容器电极材料研究
- 王晓峰
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文使用传统的水解方法制备了氢氧化镍胶体,在300℃下进行烧结处理后得到具有特殊材料微结构以及表面特性的超细氧化镍材料,电化学方法证明该材料制备的电极具有典型的电容性能,“准电容”比容量达到240F/g以上,优于变通的双电层电容器活性炭电容材料比容量,恒流充放电实验证明,使用该材料制备的电容器具有良好的大电流充放电性能以及循环寿命,是一种极具发展潜力的储能器件.
47.磁流体液体旋转轴密封的实验研究
- 杨志伊;刘同冈
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文以30号透平油为例讨论了磁流体密封液体时的界面稳定性问题及其影响因素.实验结果表明,磁流体用于液体密封时,其密封寿命不仅仅与磁流体的特性有关,而且与液-液界面的磁场分布有关.在成功合成与被密封液体不相溶的磁流体的基础上,通过合理布置密封装置的磁场和磁路,可以大大延长磁流体用于旋转轴液体密封的寿命.
48.a-Si PIN?PLED有机图像传感显示器模拟设计
- 吴春亚;赵颖;周祯华;熊绍珍
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：a-SiPIN/PLED有机图像传感显示器是一处新型的光光信号传换器件,单个象元的结构是以薄膜Si基PIN为光敏传感元、以有机发光管PLED为显示元组成的自耦合器件.改变硅基材料的带隙,可使光敏传感元响应波段发生变化;或附以其他光敏结构,则能使该传感显示器扩充响应光谱段,加之其具有很强的“鲁奉”性,故有广泛的应用前景.本文将介绍这种新型传感显示器件的工作机理、特点及该器件匹配设计要点.
49.磁性液体在交变电磁场中的热效应
- 林德明;张介立;王华生;杨华;胡西多
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：用化学共沉淀法制取纳米Fe<,3>O<,4>制备均匀的水基磁性液体.研究不同浓度的纳米Fe<,3>O<,4>磁性液体在交变电磁场下微热效应.
50.SOL-GEL法制备纳米金属铁涂层磁性碳纤维
- 黄小忠;冯春祥;李效东;宋永才;王应德
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：提出用SOL-GEL技术在碳纤维表面涂敷铁溶胶,制得具有磁性涂层的连续的碳纤维.用电子显微镜观察涂层表面形貌,用电子显微镜附件能谱仪分析了元素组成,用XRD分析了涂层的相组成,最后检测磁性碳纤维的力学性能和磁学性能参数.检测数据表明,该纤维是一种兼具高力学性能和磁性能的优良纤维.
51.不锈钢/钛合金爆炸复合棒的高温短时热处理
- 马东康;李平仓;裴大荣;郭悦霞;陈百顺
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：Ti-2Al-2.5Zr是国内首次用于爆炸复合的钛合金,一种爆炸态的OCr18NI10Ti?Ti-2Al-2.5Zr双金属复合棒需热处理软化,以满足再加工的要求,同时又要保证足够高的界面结合强度.为此,将复合棒在820～970℃×2～16min的试验条件下进行高温短时热处理.通过硬度试验、金相分析、界面结合强度试验,研究了复合棒在受热作用后的组织结构和性能变化规律.
52.薄膜多晶硅电池的模拟计算
- 耿新华;薛俊明;葛惠春;张丽珠;王宗畔
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文对多晶硅薄膜光生载流子的迁移率、复合率以及陷获电子浓度、陷获空穴浓度等进行了理论推导.以此为理论基础,建立了一个多晶硅薄膜太阳电池计算机模型.利用该模型,模拟计算了晶界缺陷态密度、晶粒尺寸、P/T界而缺陷态密度以及陷光结构等对单结多晶硅薄膜电池性能的影响,并对模拟结果进行了讨论.
53.固态源后硒化法制备CIS薄膜的研究
- 孙云;龚晓波;钟兵;刘永吉;郭虎森;刘明光;李长健
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：采用固态源后硒化制备CIS薄膜具有设备工艺方法简单,易于控制硒化反应过程,可提高制备工艺的重复性等材料特点.本文介绍了固态源后硒化法的工艺制备及设备结构;对同一元素配比的基底采用不同硒化条件,以及同一硒化条件,不同元素配比的基底材料所生成的硒化物有何不同;钼膜衬底和玻璃衬底所生成的硒化物不何不同等等进行了实验研究与分析.结果表明,元素配比的精确性决定着CIS薄膜材料制备的重复性;硒化过程中衬底温度和硒原子浓度在一定范围内对CIS生成物的影响并不敏感;In与Cu的元素配比在一定程度上的误差都可能导致CuIn<,2.0>Se<,3.5>多晶体的产生;衬底材料对硒化物的结晶状况有着不可忽视的影响.
54.稀土掺杂硅基氧化薄膜蓝紫发光特性研究
- 曾宇昕;王平;王水凤;元美玲;王兼善;徐飞;程国安;沈鸿烈
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：在探索有效发光电子器件和光电集成微电子材料的研究中,掺杂稀土硅材料近年来引起了人们的关注.我们用离子注入的方法制备了掺La、Nd和Ce的硅氧化膜,研究了他们的乐致发光特性.实验表明,在紫外光(λ<,ex>=250nm)激发下,他们均具有显著的蓝紫光发射,且发光稳定,光致发光(PL)谱具有多峰结构,发光强度与掺稀土种类、浓度和制备过程中退火温度等多种因素有关.本文对发光机现也作了初步探讨.
55.钕铁硼在电机应用中的稳定性
- 杨克信
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文介绍了第三代稀土永磁材料-钕铁硼,不仅具有价格低,磁性能优异,而且我国有得天独厚的物质资源.但在使用中必须注意钕铁硼材料的稳定性,否则给设计、制造永磁电机发展带来潜在危机.钕铁硼材料的磁性能随环境、磁场、温度、化学变化、时间变化而变化.其中主要有磁稳定性、热稳定性、化学稳定性、时间稳定性.本文重点介绍为实现稳定性在设计电机如何扬长避短,正确根据不同使用场合选择不同材料,以及如何对材料进行老化处理,正确设计永磁材料工作点,适当提高工作点,选择具有高内禀矫顽力,同时对电朵设计不但要进行电路的计算,还要进行磁场的计算,以防止局部退磁.
56.新世纪功能金属材料发展趋势
- 付祖明;陈军;陈国钧
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文从性能、结构和成份、合成和加工以及应用等材料科学和工程的四要素出发,简述了当代功能金属材料的发展趋势.最后指出一个工作方法--信息计算技术,一个思想方法--创新意识将是新世纪材料开发的生命.
- 功能金属材料;
- 信息计算技术;
57.钙钛矿型锰氧化物La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>的磁谱研究
- 王锦辉;毛高俊;朱路扬;都有为;王锦辉
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文初步报道了钙钛矿型锰氧化物多晶材料La<,1-x>Sr<,x>MnO<,3>(0.1≤x≤0.45)磁谱的研究结果.平均粒晶为1.2μm的环状样品由溶胶-凝胶法制备,并经1773K烧结.结果显示,当x≥0.2时,样品的磁谱为典型的弛豫型谱线,弛豫频率随温度降低而减少,与x无明显关联.也豫曲线主要来源于畴壁弛豫.而在x=0.1和0.15样品中没有观察到磁谱,可能是由于在0.1≤x≤0.15之间,样品呈散铁磁性或散反铁磁性,无畴壁存在,因此也没有畴壁移动.畴壁移动的阻尼归结为涡流效应.
58.单晶Tb<,y>Dy<1-y>(Fe<,1-xT<,x>)<,2>(T=Al,Mn)的磁致伸缩
- 曲静萍;郝延明;李玲玲;孙卫忠;王博文;李养贤;吴光恒;唐成春;王敬华;詹文山
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文研究了Tb<,y>Dy<1-y>(Fe<,1-xT<,x>)<,2>(T=Al,Mn)室温下磁致伸缩随应力的变化.在一定温度和压力下,由于Al或Mn替代Fe降低了磁致伸缩,但同时也降低了过饱和场.
- 磁致伸缩;
- 单晶;
59.FeCuNbSiB非合金丝加热过程的晶化及其磁阻抗效应的变化
- 程力智;赵恒和;董心权;徐民;张玉梅;何开元
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文介绍用旋转水淬法制取标准“Finemet”Fe<,75.5>Cu<,1>Nb<,3>Si<,l3,5>B<,9>非晶态合金加热过程的晶化及其磁阻抗效应的变化.取升温速度10℃/min的DTA分析,在加热过程中,分别出现431、548和642℃三个放热峰.表明非晶态合金丝随加热温度升高发生有与FeCuNbSiB非晶薄带相似的晶化过程.DSC热分析中,548℃晶化形成放热峰面积和热量量程的计算,晶化热ΔH为55.60J/g.取长0.04m淬态样品分别经420、550、570、640℃各30min的真空充氩热处理.样品驱动电流7.2mA,频率分别为0.1、0.25、0.5、0.7、1、2、3MHz,其样品两端电压变化表示为ΔV/V=[V(0)-V(70×10<'3>/4πA·m<'-1>)]/V(70×10<'3>/4πA·m<'-1>).经420℃热处理的样品,1MHz下ΔV/V达170﹪;550℃热处理样品ΔV/V随外加纵向磁场增加,在0.5～10×10<'3>/4πA·m<'-1>磁场出现极大值.
60.Ti-Zr-Ni-Cu非晶合金的激波晶化
- 阚家德;吕毓松;刘佐权;周效锋
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：近年我们在一系列铁基非晶合金中,发现了非晶的激波晶化效应,它存在一系列不同于退火晶化的新特征.本文应用XRD研究了激波对非铁基非晶合金Ti-Zr-Ni-Cu的影响,研究证明在激波作用下该合金同样产生激波晶化,其基本特征和铁基合金中相同,非晶合金的激波晶化是一种具有普遍意义的新的物理冶金现象.基于“流体原子势场扩散”模型可以定性解释“激波晶化”的全部新特征.
61.非晶Sm<,5>Fe<,74.3>Nb<,1>Si<,11.7>B<,4.5>C<,2.5>Cu<,0.5>合金的晶化过程
- 张朋越;关颖;刘建华;张克勤;杨丽;张静武;张湘义
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文借助于差热分析仪(DTA)、X射线衍射(XRD)和透射电镜研究了非晶合金Sm<,5>Fe<,74.3>Nb<,1.5>Si<,11.7>B<,4.5>C<,2.5>Cu<,0.5>的晶化过程,并计算其晶粒大小.结果表明:Sm<,5>Fe<,74.3>Nb<,1.5>Si<,11.7>B<,4.5>C<,2.5>Cu<,0.5>非晶合金的晶化过程为:Am→Am'+α-Fe+Fe<,B>→α-Fe+Fe<,2>B+Sm<,2>(FeSi)<,17>C<,x>.在780℃到850℃退火过程中,α-Fe的晶粒尺寸基本不变,约为20.7nm.
- 晶化过程;
- 非晶合金;
62.Fe<,63>Co<,7>Zr<,10-x>Nb<,x>B<,20>大过冷度非晶合金的研究
- 赵玉华;荣传兵;林旺顺;程力智;董心权;徐民
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文对Fe<,63>Co<,7>Zr<,10-x>Nb<,x>B<,20>(x=0、2、4、6原子百分数)非晶合金的过冷度及磁性进行了研究.结果表明:此合金系的非晶合金具有较大的冷度,分别为70K,76K,79K,69K,Nb为4﹪(原子百分比)时合金具有最大过冷度,ΔT<,x>=79K.采用1000r/min辊速喷制的非晶条带厚度为0.10-0.15mm,合金的比磁化强度σ<,s>随Nb含量的增加而下降.
63.Zr<,41>Ti<,14>Cu<,12.5>Ni<,10>Be<,22.5>块体非合金在连续升温过程中的软化行为
- 张克勤;张朋越;关颖;张静武;张湘义
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文用Formastor-型全自动相变仪和X射线衍射测定了Zr<,41>Ti<,14>Cu<,12.5>Ni<,10>Be<,22.5>块体非晶合金连续升温晶化转变曲线,研究了不同升温速率下该合金在玻璃过冷液区(DT=T<,x.-T<,g>)内的形变.结果表明,随着升温速率的提高,合金的玻璃转化温度稍有增加,而过冷液区却有明显增大;合金在过冷液区内的等压力形变量随升温速率的提高而增加;当升温速率由5℃/min增加到100℃/min时,合金的形变量从8.3﹪增加到45﹪.
64.立方氮化硼薄膜制备和形貌分析
- 邓金祥;陈光华;任卫;宋雪梅;王波;严辉
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文报道了氮化硼(BN)薄膜的射频溅射制备方法和形貌表征.主要研究射频功率和衬底负偏压对制备BN薄膜的影响.BN薄膜沉积在Si(100)衬底上,工作气体为Ar气和N<,2>气混合而能形成立方相(立方氮化硼c-BN)只能形成六角相(六角氮化硼h-BN),当射频功率足够高,再加以适当的衬底负偏压,可以形成立方相.在射频功率和衬底负偏压分别为400W和210V时,得到了立方相含量高于80﹪的c-BN薄膜.薄膜的形貌由AFM表征,由AFM图可以看到含有立方相的BN薄膜有明显的剥裂现象.
65.纳米级功能材料的应用进展
- 潘树明
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
66.高能电子辐照对非晶硅太阳电池的影响
- 李柳青;廖显伯;游志朴
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文报道a-Si:H Pin太阳电池的1MeV1.4～8.4×10<'15>cm<'-2>电子辐照实验结果.测量了电子辐照对a-Si:H太阳电池光暗J-V特性的影响,以及它们的退火行为.发现这样剂量范围的1MeV电子辐照可使a-Si:H太阳电池性能显著退化,而室温退火能使电池性能部分得到恢复,但即使在130℃下经2h退火电池性能也不能完全恢复.本文在双能级模型的基础上对以上结果给出了合理的解释.并讨论了a-Si:H电池的电子辐照效庆与光致退化效应(S-W效应)的异同.
67.BCN薄膜的制备及光电性能研究
- 陈光华;蔡让歧;李英兰;岳金顺;贺德衍;陈光华
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：本文采用射频溅射技术,在硅和石墨衬底上制备出六方BCN薄膜,并应用IR、XRD、XPS手段系统地研究了沉积参数对BCN膜生长及结构的影响.也研究了BCN膜的光学、电学、场电子发射及内应力等性能.本文着重报导BCN薄膜的制备及其光、电性能.
68.SaturationMagnetizationofNiCuFilmsdcBiasedPlasma-Sputter-DepositedonMgO(001)
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
69.a-SiPIN?PLED有机图像传感显示器模拟设计
- 吴春亚
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：a-SiPIN/PLED有机图像传感显示器是一处新型的光光信号传换器件,单个象元的结构是以薄膜Si基PIN为光敏传感元、以有机发光管PLED为显示元组成的自耦合器件.改变硅基材料的带隙,可使光敏传感元响应波段发生变化;或附以其他光敏结构,则能使该传感显示器扩充响应光谱段,加之芧
- 聚合物发光二极管;
70.BN薄膜的ECRCVD制备及结构
- 张生俊
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：氮化硼是一种有着多种型态,多种优异性能和多种应用的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,多年来一直受到很大关注.本文利用微波电子回旋共振化学气相沉积(MW-ECRCVD)系统制备了BN薄膜.XRD结果表明薄膜为h-BN和r-BN的混合相,指标化结果表明r-BN的晶胞常数分别为a<,0>=2.5025埃.c<,0>=10.0177埃.衍射峰强度的相对变化反映了基面的取向.FTIR结果表明,由B-N-B面外弯曲振动峰的位置,薄膜可确定为a-BN,t-BN或h-BN(r-BN).
- 化学气相沉积;
71.紧束缚分子动力学计算金刚石硅点缺陷的迁移能
- 刘玉真;罗成林
- 《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》 | 2001年
摘要：我们利用紧束缚分子动力学(TBMD)的模拟方法,采用NVT分子动力学计算出金刚石硅的点缺陷迁移能,E<,m>=0.37eV,并且得到空穴的近邻原子在某一温度下的跃迁过程.与采用由扩散热垒计算的静态方法所得到的结果作了比较,我们发现由NVT方法模拟所得到结果更符合于事实.