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稀土掺杂硅基氧化薄膜蓝紫发光特性研究

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在探索有效发光电子器件和光电集成微电子材料的研究中,掺杂稀土硅材料近年来引起了人们的关注.我们用离子注入的方法制备了掺La、Nd和Ce的硅氧化膜,研究了他们的乐致发光特性.实验表明,在紫外光(λ<,ex>=250nm)激发下,他们均具有显著的蓝紫光发射,且发光稳定,光致发光(PL)谱具有多峰结构,发光强度与掺稀土种类、浓度和制备过程中退火温度等多种因素有关.本文对发光机现也作了初步探讨.

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来源
《第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会》|2001年|119-121|共3页
会议地点北京
作者
曾宇昕; 王平; 王水凤; 元美玲; 王兼善; 徐飞; 程国安; 沈鸿烈;
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作者单位

中国金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 O484.41;
关键词
稀土掺杂; 离子注入; 光致蓝紫发光; 硅基氧化膜; 卢瑟福背散射谱;

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