Li<'-7>背散射技术确定了材料中的成分及其分布,用X-射线衍射测量了样品的结构相.原位电阻率测量表明,单晶硅上稀土硅化物的外延生长温度约为260℃,而SiO<,2>衬底非晶相-晶相的转变温度为400℃左右,说明稀土硅化物的固'/>
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王文武; 谢二庆; 张亚涛; 姜宁; 贺德衍;
中国金属学会;
YbSi,2-x化合物; 固相外延生长; 原位电阻率测量;
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机译:外延晶片的电阻率标准样品的制造方法和使用该方法制造的电阻率标准样品的电阻率测量装置的修正方法
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