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程元生;
常熟半导体器件厂;
硅外延层电阻率; 积分C-V法; 均匀;
机译:高电阻率Si ,Bi_(12)GeO_(20)和CdS晶体中的不均匀杂质和电场分布
机译:硅减压化学气相沉积外延层中非均匀砷分布的受控生长
机译:光学充电光谱法研究高电阻率硅中深度杂质水平
机译:非均匀性对多晶硅硅薄膜(多晶硅,晶界,分布函数,掺杂曲线,TEM)中电阻率建模的影响。
机译:集成低电容二极管的掺砷高电阻率硅外延层
机译:sendovitch法生长Gap外延层气流中杂质的扩散
机译:沿纵向或径向生长具有均匀杂质分布的单晶硅
机译:高压垂直传导功率MOSFET器件,其扩散均匀地分布在外延层的表面,且杂质浓度更高,以定义p-n结
机译:N型硅外延层的电阻率测量方法
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